发明名称 铁电非易失存储器中的存储器结构及其读出方法
摘要 铁电非易失存储器的各存储单元包含MOS场效应晶体管以及剩余极化量相等且一侧电极连接于MOS场效应晶体管栅电极的第一和第二铁电体电容器。信息的存储通过铁电体电容器的铁电体薄膜极化实现。读出信息是通过将正电压脉冲施加于第一和第二铁电体电容器的电极之一而同时使电极的另一个保持于电浮动状态。还可施加具有绝对值小于正电压脉冲的负电压脉冲。
申请公布号 CN1220985C 申请公布日期 2005.09.28
申请号 CN99118319.3 申请日期 1999.08.27
申请人 半导体理工学研究中心股份有限公司 发明人 石原宏
分类号 G11C11/22;H01L27/10 主分类号 G11C11/22
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种具有每一个存储单元都是利用铁电体薄膜的极化来存储信息的铁电非易失存储器,所述各存储单元的特征在于其构成包括:场效应晶体管(Tr),电极之一与所述场效应晶体管(Tr)的栅电极连接的第一铁电体电容器(CB),以及电极之一与所述场效应晶体管(Tr)的栅电极连接并且剩余极化量与所述第一铁电体电容器(CB)相等的第二铁电体电容器(CA),所述第二铁电体电容器(CA)相对所述场效应晶体管(Tr)的栅电极的极化方向与所述第一铁电体电容器(CB)的极化方向相反。
地址 日本东京