半导体存储装置和冗余补救地址的读出方法

摘要

本发明旨在提供一种能够不增加芯片面积而得到冗余补救用的熔丝的切断信息的半导体存储装置和冗余补救地址的读出方法。其解决的方法是：用模式信号MOD设定常规动作模式，用行地址信号RADR顺序指定存储单元块1的全部地址后写入“H”的数据。由于在行地址信号RADR与熔丝电路21、22里所设定的冗余补救地址一致时输出置换信号REP1，所以，“H”数据被写入到不是正规存储单元的冗余存储单元。其次，设定试验动作模式且在全部地址中写入“L”时，这次在正规存储单元内写入“L”，冗余存储单元保留着原样的“H”。因而，如果返回常规动作模式、读出全部地址的数据，则可以判定：让读出“H”数据的地址是冗余补救地址。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储单元块，具有根据给予的输入地址所选择的多个正规存储单元，以及作为取代这些正规存储单元中的不良单元而设置的冗余存储单元；熔丝电路，用于根据熔丝被切断的有无，输出补救上述不良存储单元中的显示该不良存储单元位置的冗余补救地址；熔丝判定单元，用于在用模式信号设定常规动作模式且上述输入地址与上述冗余补救地址一致时，输出置换信号，当用该模式信号设定试验动作模式时，或当该输入地址和该冗余补救地址不一致时，不输出该置换信号；以及地址译码器，用于在未被提供上述置换信号时，根据上述输入地址选择上述存储单元块中相当的正规存储单元，在被提供上述置换信号时，选择上述存储单元块中的冗余存储单元。