发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AT THE SAME
摘要
申请公布号 KR20050093177(A) 申请公布日期 2005.09.23
申请号 KR20040018428 申请日期 2004.03.18
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, JUN SOK
分类号 H01L21/336;H01L29/10;H01L29/76;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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