发明名称 Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (10) mit einem Umverdrahtungssubstrat (1) als Stapelelement von Halbleiterbauteilstapel (25). Das Umverdrahtungssubstrat (1) weist auf einer der Umverdrahtungssubstratseiten (2, 4) einen Halbleiterchip auf, der durch eine Kunststoffmasse (12) in seinen Seitenrändern (22) geschützt ist. Auf der dem Halbleiterchip (6) gegenüberliegenden Umverdrahtungsseite (2, 4) ist eine Umverdrahtungsstruktur (3) angeordnet, die teilweise von einer Kunststoffmasse (12) bedeckt ist. Randbereiche (11) des Umverdrahtungssubstrats (1) bleiben frei von jeglicher Kunststoffmasse (12) und weisen auf beiden Umverdrahtungsseiten (2, 4) Außenkontaktflecken (7) auf, welche über Durchkontakte (8) elektrisch miteinander verbunden sind.
申请公布号 DE102004009056(A1) 申请公布日期 2005.09.22
申请号 DE20041009056 申请日期 2004.02.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 THOMAS, JOCHEN;HETZEL, WOLFGANG;WENNEMUTH, INGO;WEITZ, PETER
分类号 H01L23/31;H01L25/065;H01L25/10 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人
主权项
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