Method of forming gate electrode in semiconductor device,申请号KR20030049040-传众专利搜索

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发明名称	Method of forming gate electrode in semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100516771(B1)	申请公布日期	2005.09.22
申请号	KR20030049040	申请日期	2003.07.18
申请人		发明人
分类号	H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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