| 发明名称 |
Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile, ihre Verwendung, sowie damit erhaltene Bauteile |
| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile beschrieben. Dabei wird ein Einkristall gebildet, der auf einer [0001] Fläche eine senkrecht stehende kristallographische c-Achse aufweist, in mindestens eine dünne Scheibe zerteilt und mindestens eine zu beschichtende Scheibenoberfläche geglättet und die Scheibe bei einer Temperatur oberhalb 1770 K getempert.
|
| 申请公布号 |
DE102004010377(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.22 |
| 申请号 |
DE200410010377 |
申请日期 |
2004.03.03 |
| 申请人 |
SCHOTT AG |
发明人 |
GORGONI, CLAUDIO;SPEIT, BURKHARDT;KOEHLER, INGO;GUINCHARD, JAQUES;BLAUM, PETER;BEIER, WOLFRAM |
| 分类号 |
B28D5/00;C30B29/20;C30B33/00;C30B33/02;H01L21/20;(IPC1-7):C30B33/02;C30B25/18;H01L21/324 |
主分类号 |
B28D5/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
