| 主权项 |
1.一种修补接触窗侧壁裂缝之方法,包括下列步骤:提供一基底,其上沉积有一第一介电层;定义该第一介电层,以在该第一介电层中形成至少一接触窗而露出该基底并于该接触窗侧壁之该基底中形成至少一裂缝;在该接触窗侧壁及底部顺应性形成一氮化矽层并填入该裂缝中;以及去除该接触窗侧壁及底部之该氮化矽层而在该裂缝中留下该氮化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,更包括下列步骤:在该接触窗侧壁及底部顺应性形成一金属阻障层;以及在该接触窗内填入一钨金属层,以作为导电插塞。3.如申请专利范围第1项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中该第一介电层系一硼磷矽酸盐玻璃层。4.如申请专利范围第1项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,更包括在形成该接触窗之前,在该第一介电层上沉积一第二介电层。5.如申请专利范围第4项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中该第二介电层系由四乙基矽酸盐所形成之氧化物。6.如申请专利范围第1项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中藉由低压化学气相沉积形成该氮化矽层,且其厚度在50到60埃的范围。7.如申请专利范围第1项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中藉由氢氟酸及乙二醇之混合液去除该氮化矽层。8.一种修补接触窗侧壁裂缝之方法,包括下列步骤:提供一基底,其上沉积有一第一介电层;定义该第一介电层,以在该第一介电层中形成至少一接触窗而露出该基底并于该接触窗侧壁之该基底中形成至少一裂缝;在该接触窗侧壁及底部顺应性形成一复晶矽层并填入该裂缝中;对该复晶矽层实施一氧化程序,以在该接触窗侧壁及底部与该裂缝中形成一氧化矽层;以及去除该接触窗底部之该氧化矽层。9.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,更包括下列步骤:在该接触窗侧壁及底部顺应性形成一金属阻障层;以及在该接触窗内填入一钨金属层,以作为导电插塞。10.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中该第一介电层系一硼磷矽酸盐玻璃层。11.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,更包括在形成该接触窗之前,在该第一介电层上沉积一第二介电层。12.如申请专利范围第11项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中该第二介电层系由四乙基矽酸盐所形成之氧化物。13.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中藉由低压化学气相沉积形成该复晶矽层,且其厚度在20到30埃的范围。14.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中藉由反应离子蚀刻去除该接触窗底部之该氧化矽层。15.如申请专利范围第8项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,更包括在去除该接触窗底部之该氧化矽层时,同时去除该接触窗侧壁之该氧化矽层。16.如申请专利范围第15项所述之修补接触窗侧壁裂缝之方法,其中藉由氢氟酸去除该氧化矽层。图式简单说明:第1图系绘示出传统记忆装置之接触窗之结构剖面示意图。第2a到2g图系绘示出本发明第一实施例之修补接触窗侧壁裂缝之方法流程剖面示意图。第3a到3h图系绘示出本发明第二实施例之修补接触窗侧壁裂缝之方法流程剖面示意图。 |
