| 主权项 |
1.一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层;而其特征在于:使用分散式电极,这种电极结构由传统AuZn或AuBe等金属和p型GaP形成欧姆接触,以注入电流而不必另外成长p+ GaAs表层。这些电极彼此分开,可以是圆点、八角形方形、长方形、椭圆形及其他,甚至中空等形状,彼此之间不相连接。电流由分散的电极注入后,再透过薄GaP层(小于5um),做小距离扩散到电极以外区域。2.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,使用分散式电极,这种电极结构由传统AuZn或AuBe等金属和p型GaP形成欧姆接触,以注入电流而不必另外成长p+ GaAs表层。3.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,透过薄GaP层是小于5um。4.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,电极彼此分开,可以是圆点、八角形、方形、长方形、椭圆形及中空等形状,彼此之间不相连接。5.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,垫层除了位于传统的正中间位置外,也可以位于角落或靠边,并视需要以网状或星状细线,以降低垫层和各电极之间的透明传导层之阻値。6.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,透明金属做为透明传导层来连接垫层与各电极。7.如申请专利范围第1项所述一种以GaAs为基础的LED's使用分散电极与透明传导层,其中,分散式电极会遮蔽若干原发光区域,因而以4um直径的圆形电极,两个相邻电极的圆心距离为10um时,遮蔽率为22/(1010)=12.56%;以4um直径的圆形电极,两个相邻电极的圆心距离为20um时,遮蔽率为22/(2020)=3.14%。图式简单说明:第1图:系本发明之侧视图。第2图:系本发明之上视图。第3图:系本发明之电流流向示意图。第4图:系本发明之垫层下方无电极之示意图。第5图:系本发明之垫层位于角落之示意图(一)。第6图:系本发明之垫层位于角落之示意图(二)。第7图:系本发明之垫层位于角落之示意图(三)。第8图:系本发明之垫层位于角落之示意图(四)。第9图:系本发明之垫层位于角落之示意图(五)。第10图:系本发明之垫层位于角落之示意图(六)。 |
