| 主权项 |
1.一种控制蚀刻偏差之方法,其包括:执行一掺杂碳之氧化物(CDO)之移除程序,该CDO移除程序包括引入一第一气体,以在一CDO层中形成一沟槽;及执行一聚合物沈积程序,该聚合物沈积程序包括引入一第二气体,以便在该CDO层的该沟槽中沈积一聚合物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中:该第一气体包括具有碳原子与氟原子之一第一比率的一第一分子,且该第二气体包括具有碳原子与氟原子之一第二比率的一第二分子,使得碳原子与氟原子之该第二比率系比碳原子与氟原子之该第一比率大。3.如申请专利范围第1项之方法,其中:该第一气体的氟原子百分率比该第二气体者高。4.如申请专利范围第1项之方法,其中:该第一气体为CF4,且该第二气体为C4F8。5.如申请专利范围第1项之方法,其中:该CDO移除程序与该聚合物沈积程序系在一反应器中执行。6.如申请专利范围第5项之方法,其中:该反应器包括一磁场强化反应性离子蚀刻(MERIE)反应器与一传统反应性离子蚀刻反应器之任一个。7.如申请专利范围第1项之方法,其中:对于一12英寸晶圆,该第一气体在1000至4000瓦特之间的射频(RF)功率下形成一电浆。8.如申请专利范围第1项之方法,其中:一电浆系在用于该CDO移除程序的一功率下撞击,该功率系高于在该聚合物沈积程序中撞击该电浆的功率。9.如申请专利范围第8项之方法,其中:在该聚合物沈积程序期间形成的该电浆不含氧气。10.如申请专利范围第8项之方法,其中:对于一12英寸晶圆,该电浆系在500至1000瓦特之间的射频(RF)功率下撞击。11.如申请专利范围第1项之方法,其中:该聚合物至少包括氟化碳氢化合物与碳氢化合物之一。12.如申请专利范围第1项之方法,其中:该CDO移除程序为各向异性。13.如申请专利范围第1项之方法,其中:该聚合物沈积程序为各向同性。14.一种用于在一碳掺杂过之氧化物(CDO)介电层中形成一沟槽的方法,其包括:在一光阻层中形成一窗口,该光阻层系沈积于一CDO层之顶部上;执行一碳掺杂过之氧化物(CDO)移除程序,该CDO移除程序包括在一反应器中引入一第一气体,以在该CDO层中形成一沟槽;及执行一聚合物沈积程序,该聚合物沈积程序包括在该反应器中引入一第二气体,以在该CDO层之该沟槽中沈积一聚合物,其中该第一气体包括具有碳原子与氟原子之一第一比率的一第一分子,且该第二气体包括具有碳原子与氟原子之一第二比率的一第二分子,使得碳原子与氟原子之该第二比率系比碳原子与氟原子之该第一比率大。15.如申请专利范围第14项之方法,其中:该第一气体之每分子中氟原子的百分率比该第二气体者高。16.如申请专利范围第14项之方法,其中:该第二气体之每分子中碳原子的百分率比该第一气体者高。17.如申请专利范围第14项之方法,其中:该第一气体在该反应器中形成一电浆。18.如申请专利范围第17项之方法,其中:该电浆系在一磁场强化反应性离子蚀刻(MERIE)反应器与一传统反应性离子蚀刻反应器之任一个中形成。19.如申请专利范围第17项之方法,其中:对于一12英寸晶圆,该电浆系在1000至4000瓦特之间的射频(RF)功率下撞击。20.如申请专利范围第14项之方法,其中:该第二气体在该反应器中形成一电浆。21.如申请专利范围第20项之方法,其中:该电浆系不含氧气。22.如申请专利范围第20项之方法,其中:对于一12英寸晶圆,该电浆系在500至1000瓦特之间的射频(RF)功率下撞击。23.如申请专利范围第14项之方法,其中:该聚合物至少包括氟化碳氢化合物与碳氢化合物之一。24.如申请专利范围第14项之方法,其中:该CDO移除程序为各向异性。25.如申请专利范围第14项之方法,其中:该聚合物沈积程序为各向同性。26.一种用于在一半导体装置中形成沟槽的方法,其包括:提供一基板;在该基板上沈积一碳掺杂过之氧化物(CDO)层;在该CDO层上沈积一光阻层;图案化该光阻层;执行一碳掺杂过之氧化物(CDO)移除程序,该CDO移除程序包括在一反应器中引入一第一气体,以在该CDO层中形成一沟槽;减少该反应器中该第一气体的浓度;及执行一聚合物沈积程序,该聚合物沈积程序包括在该反应器中引入一第二气体,以便在该CDO层的该沟槽中沈积一聚合物,该聚合物沈积程序系在无氧气的情况下完成。27.如申请专利范围第26项之方法,其中:该第一气体包括具有碳原子与氟原子之一第一比率的一第一分子,且该第二气体包括具有碳原子与氟原子之一第二比率的一第二分子,使得碳原子与氟原子之该第二比率系比碳原子与氟原子之该第一比率大。28.如申请专利范围第26项之方法,其中:在该CDO移除程序中,对于一12英寸晶圆,一电浆系在1000至4000瓦特之间的一射频(RF)功率下撞击。29.如申请专利范围第26项之方法,其中:该第二气体之每分子中碳原子的百分率比该第一气体者高。30.如申请专利范围第26项之方法,其中:在该聚合物沈积程序中,对于一12英寸晶圆,该电浆系在500至1000瓦特之间的一射频(RF)功率下撞击。图式简单说明:图1A至1C说明用于在一半导体装置之一介电层中蚀刻一沟槽的一先前技术程序;图2A至2C说明依据本发明的一项具体实施例,用于在一半导体装置之一介电层中蚀刻一沟槽程序之一周期;图3说明依据本发明的一项具体实施例,用于在一半导体装置之一介电层中蚀刻一沟槽的程序的第二周期;图4说明依据本发明的一项具体实施例,在将该光阻层及聚合物从该沟槽移除后的一半导体装置。 |
