| 主权项 |
1.一种于一微处理单元上相转变光罩之图案资料库之产生方法,其包括以下之步骤:(a)提供一具有两相之相转变光罩之初始数据资料库组及一光罩全域面积资料库,该初始数据资料库组包括一铬膜图案座标资料库以及一第一相转变图案座标资料库;(b)联集该铬膜图案之座标资料库与该第一相转变图案座标资料库,产生一联集图案座标资料库,随后反转该联集图案座标资料库,以建立一第二相转变图案座标资料库,且本步骤之反转系将该光罩全域面积资料库移除该联集图案座标资料库;(c)将该第一相转变图案之座标资料库之线宽边界以一第一偏差値修正,以产生一第一相转变修正座标资料库,并将该第二相转变图案座标资料库之线宽边界以一第二偏差値修正,以产生一第二相转变修正座标资料库;(d)联集该修正后之第一相转变修正座标资料库及第二相转变修正座标资料库以建立一修正联集座标资料库;以及(e)反转该修正联集座标资料库,以产生一修正后之第二铬膜图案座标资料库,且本步骤之反转系将该光罩全域面积资料库移除该修正联集图案座标资料库。2.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中相对应于该第一相转变图案之座标资料库与该第二相转变图案座标资料库之二偏差値之绝对値为相同。3.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中该相转变光罩之两相之相位差范围为170至190间。4.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中该相转变光罩之两相之相位分别为0与180或90与270。5.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中该方法应用于线宽为110nm以下之制程技术。6.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中该铬膜图案之座标资料库、该第一相转变图案之座标资料库、与该第二相转变图案之座标资料库为二维之点座标集合。7.如申请专利范围第1项所述之图案资料库产生方法,其中于步骤(c)中,该第一相之相位为0且该第二相之相位为180时,该第一相转变图案之座标资料库之线宽边界内缩该第一偏差値,以产生该第一相转变修正座标资料库,该第二相转变图案座标资料库之线宽边界外扩该第二偏差値,以产生该第二相转变修正座标资料库。图式简单说明:图1系习知技艺之调整穿透光强度之光罩剖视图与相对应之穿透光强度图。图2系另一习知技艺之调整穿透光强度之光罩剖视图与相对应之穿透光强度图。图3a-3d系本发明一相转变光罩之资料处理方法之较佳实施例之作动流程图。 |
