| 主权项 |
1.一种使用OPC之图案尺寸之修正方法,其系利用OPC修正设计图案形成于晶圆上时之完成图案尺寸者,其特征在于包含:选择并决定前述设计图案所含之第1设计图案之工序;取得前述第1设计图案形成于晶圆上时之第1完成图案尺寸之测定値之工序;利用前述第1完成图案尺寸决定第1计算模型之工序;在前述设计图案中,选择并决定除了前述第1设计图案以外之第2设计图案之工序;利用前述第1计算模型执行第1模拟,算出前述第2设计图案形成于晶圆上时之第2完成图案尺寸之工序;利用前述第1及第2完成图案尺寸,决定执行比前述第1模拟高速之第2模拟用之第2计算模型之工序;及利用前述第2计算模型执行前述第2模拟,算出在前述设计图案中除了前述第1及第2设计图案以外之第3设计图案之第3完成图案尺寸之工序者。2.一种使用OPC之图案尺寸之修正方法,其系利用OPC修正设计图案形成于晶圆上时之完成图案尺寸者,其特征在于包含:选择并决定前述设计图案所含之第1a设计图案之工序;取得前述第1a设计图案形成于晶圆上时之第1a完成图案尺寸之测定値之工序;利用前述第1a完成图案尺寸决定第1a计算模型之工序;改变前述第1a计算模型所含之参数値,以决定至少1种第1b计算模型之工序;在前述设计图案中,选择并决定除了前述第1a设计图案以外之第2a设计图案之工序;在前述设计图案中,选择并决定除了前述第1b设计图案以外之第2b设计图案之工序;利用前述第1a计算模型执行第1a模拟,算出前述第2a设计图案形成于晶圆上时之第2a完成图案尺寸之工序;利用前述第1b计算模型执行第1b模拟,算出前述第2b设计图案形成于晶圆上时之第2b完成图案尺寸之工序;利用前述第1a及第2a完成图案尺寸,决定执行比前述第1a模拟高速之第2a模拟用之第2a计算模型之工序;利用前述第1b及第2b完成图案尺寸,决定执行比前述第1b模拟高速之第2b模拟用之第2b计算模型之工序;利用前述第2a计算模型执行前述第2a模拟,算出在前述设计图案中除了前述第la及第2a设计图案以外之第3a设计图案之第3a完成图案尺寸之工序;及利用前述第2b计算模型执行前述第2b模拟,算出在前述设计图案中除了前述第1b及第2b设计图案以外之第3b设计图案之第3b完成图案尺寸之工序者。3.如请求项2之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述参数系包含曝光装置之曝光量、焦点、光罩透光率、相位、像差、光瞳透光率、照明形状、透镜数値孔径、曝光波长、及光罩之尺寸平均値、尺寸误差、及显影参数中至少任何一种者。4.如请求项1之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述第1、第2设计图案系设计图案线宽或设计图案间邻接距离中,至少一方相异者。5.如请求项1之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述第1、第2、第3完成图案尺寸系光罩处理后之光罩尺寸、微影处理后之光阻膜尺寸、蚀刻处理后之加工后尺寸、最终加工处理后之最终加工尺寸中之任何一种者。6.如请求项1之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述第1、第2计算模型中分别包含有关光学元件之光学计算部与有关非光学元件之非光学计算部者。7.如请求项6之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述第1计算模型所含之前述光学计算部与前述第2计算模型所含之前述光学计算部系分别包含相异之光学计算算法,前述第2计算模型所含之前述非光学计算部与前述第2计算模型所含之前述非光学计算部系分别包含相异之非光学计算算法者。8.如请求项1之使用OPC之图案尺寸之修正方法,其中前述第1模拟比前述第2模拟高精度,前述第1计算模型系比前述第2计算模型更适合于执行前述第1模拟之计算模型者。9.一种使用OPC之图案尺寸之验证方法,其特征在于包含使用请求项1、4至8中任一项之前述第1或第2计算模型,执行对前述第1、第2及第3完成图案尺寸之OPC验证之工序者。10.一种光罩,其特征在于使用请求项1、4至8中任一项之前述第1、第2及第3完成图案尺寸所作成者。11.一种半导体装置,其特征在于使用以请求项1、4至8中任一项之前述第1、第2及第3完成图案尺寸所作成之光罩所制造者。12.一种实现使用OPC之图案尺寸之修正方法之系统,其特征在于执行利用OPC修正设计图案形成于晶圆上时之完成图案尺寸之方法者,且包含:第1完成图案尺寸输入部,其系输入选择自前述设计图案中之第1设计图案形成于晶圆上时之第1完成图案尺寸之测定値者;第1计算模型决定部,其系使用被输入之前述第1完成图案尺寸决定第1计算模型者;第2设计图案输入部,其系输入在前述设计图案中除了前述第1设计图案以外之第2设计图案者;第1模拟部,其系利用前述第1计算模型执行第1模拟,算出前述第2设计图案形成于晶圆上时之第2完成图案尺寸者;第2计算模型决定部,其系利用前述第1及第2完成图案尺寸,决定执行比前述第1模拟高速之第2模拟用之第2计算模型者;及第2模拟部,其系利用前述第2计算模型执行前述第2模拟,算出在前述设计图案中除了前述第1及第2设计图案以外之第3设计图案之第3完成图案尺寸者。13.一种记录媒体,其记录有一程式,其系在电脑上实现系统用,而该系统系执行利用OPC修正设计图案形成于晶圆上时之完成图案尺寸之方法者,且该系统包含:第1完成图案尺寸输入部,其系输入前述设计图案所含之第1设计图案形成于晶圆上时之第1完成图案尺寸之测定値者;第1计算模型决定部,其系使用被输入之前述第1完成图案尺寸决定第1计算模型者;第2设计图案输入部,其系输入在前述设计图案中除了前述第1设计图案之外之第2设计图案者;第1模拟部,其系利用前述第1计算模型执行第1模拟,算出前述第2设计图案形成于晶圆上时之第2完成图案尺寸者;第2计算模型决定部,其系利用前述第1及第2完成图案尺寸,决定执行比前述第1模拟高速之第2模拟用之第2计算模型者;及第2模拟部,其系利用前述第2计算模型执行前述第2模拟,算出在前述设计图案中除了前述第1及第2设计图案之外之第3设计图案之第3完成图案尺寸者。图式简单说明:图1系表示执行本发明之实施形态之图案尺寸之修正及验证时之流程之流程图。图2系表示实现本发明之第1实施形态之图案尺寸之修正方法用之系统构成之区块图。图3系表示以往之图案尺寸之修正方法之流程图。图4系表示该第1实施形态之图案尺寸之修正方法之流程图。图5系表示上述第1实施形态中之计算模型1、2所含之光学计算部及非光学计算部之说明图。图6系表示上述第1实施形态之图案尺寸之修正方法中,决定计算模型1之工序之流程图。图7系表示实验条件相异之情形之以往之图案尺寸算出方法之流程图。图8系表示实验条件相异之情形之本发明之第2实施形态之图案尺寸之修正方法之流程图。图9系表示以往使用OPC之图案尺寸之修正方法之流程图。图10系表示以往之图案尺寸之OPC验证方法之流程图。图11系表示本发明之第3实施形态之使用OPC之图案尺寸之修正方法之流程图。图12系表示该第3实施形态之使用OPC之图案尺寸之验证方法之流程图。图13系表示以往使用OPC之图案尺寸之修正及验证方法之流程图。图14系表示该第3实施形态之使用OPC之图案尺寸之修正及验证方法之流程图。图15系表示该第3实施形态之另一使用OPC之图案尺寸之修正及验证方法之流程图。图16系表示该第3实施形态之又另一使用OPC之图案尺寸之修正及验证方法之流程图。 |
