发明名称 微影装置,装置制造方法及藉此所制造之装置
摘要 一种微影投影装置中,一光栅光谱滤波器用于过滤一 EUV投影束,光栅光谱滤波器较佳为一发光式磨擦入射反射型光栅。冷却通道可提供于光栅光谱滤波器之后方内或上,光栅光谱滤波器可由实际上看不见所需辐射之材料制成。
申请公布号 TWI240151 申请公布日期 2005.09.21
申请号 TW090124678 申请日期 2001.10.05
申请人 ASML公司 发明人 珍 凡 艾尔波;马帝那斯 翰利克斯 安东尼斯 里德斯;ANTONIUS LEENDERS;法迪 耶珍耶菲奇 巴尼;修格 马修 菲瑟;莱菲那斯 彼特 巴克
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影投影装置,包含:一辐射系统,用于提供一辐射之投影束;一支承结构,用于支承图样化装置,图样化装置用于依一要求图样以图样化投影束;一基板平台,用于固定一基板;一投影系统,用于将图样化之投影束投影至基板之一目标部上,其特征在:一光栅光谱滤波器,系包含于该辐射系统内,供所需波长之辐射通过,以形成该投影束,及供不必要波长之辐射偏向。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该光栅光谱滤波器包含一发光式光栅。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该光栅光谱滤波器具有一小于大约2.5之发光角度。4.如申请专利范围第2或3项之装置,其中该光栅光谱滤波器具有一每毫米200至700条线范围内之线密度。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该光栅光谱滤波器系一叠层式光栅。6.如申请专利范围第1、2、3或5项任一项之装置,其中该光栅光谱滤波器系建构以利基本上不影响该所需波长之辐射。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该光栅光谱滤波器系大致由一材料制成,其基本上不影响该所需波长之辐射。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该光栅光谱滤波器系大致由一材料制成,其折射指数在该所需波长上接近于一致。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该光栅光谱滤波器包含矽。10.如申请专利范围第1、2、3或5项任一项之装置,进一步包含一冷却元件,供热接触于该光栅光谱滤波器。11.如申请专利范围第10项之装置,其中该冷却元件包含冷却剂通道。12.如申请专利范围第11项之装置,进一步包含一冷却系统,供冷却剂流体通过该冷却剂通道。13.如申请专利范围第1项之装置,其中该光栅光谱滤波器系一反射型滤波器。14.如申请专利范围第1项之装置,其中该光栅光谱滤波器系一发光式入射反射件。15.如申请专利范围第13或14项之装置,其中该光栅光谱滤波器系一体成型于该照明系统之一光学元件。16.如申请专利范围第1、2、3、5、13或14项任一项之装置,其中该投影束包含超紫外线辐射。17.如申请专利范围第16项所述之装置,其中该超紫外线辐射具有8-20毫微米范围内之波长。18.如申请专利范围第16项所述之装置,其中该超紫外线辐射具有9-16毫微米范围内之波长。19.如申请专利范围第1、2、3、5、13或14项任一项之装置,其中支持结构包含一光罩平台供固定一光罩。20.如申请专利范围第1、2、3、5、13或14项任一项之装置,其中辐射系统包含一辐射源。21.如申请专利范围第20项之装置,其中该辐射源系一雷射产生或释放电浆之辐射源。22.一种装置制造方法,包含以下步骤:提供一基板,其至少部分向一层辐射敏感性材料覆盖;利用一辐射系统以提供一辐射之投影束;利用图样化装置,使投影束在其截面具有一图样;将图样化之投影束投影至辐射敏感性材料层之一目标部上;及利用该辐射系统之一光栅光谱滤波器以过滤该辐射系统内之该投影束,以供不必要波长之辐射偏向。23.一种装置,系如申请专利范围第22项之方法制造。图式简单说明:图1说明本发明第一实施例之微影投影装置;图2系阐释本发明原理之视图;图3系说明本发明发光式光栅之简图;图4系说明本发明叠层式光栅之简图;图5系阐释本发明光栅滤波器之截断波长之视图;图6系本发明第三实施例之一部分照明系统之视图;图7系本发明第四实施例之滤波器之视图;图8系图7之一部分滤波器之放大图;及图9系本发明第五实施例之滤波器之视图。
地址 荷兰