发明名称 液晶面板结构及其形成方法
摘要 将液晶面板的画素电极延展到整个画素区,而该液晶面板以点反转驱动方式驱动时,仅会在画素区的两侧因液晶分子排列方向不连续处产生漏光。因此,本发明仅需在相对应区域的薄膜电晶体基板侧形成遮光层,除可提升液晶面板的开口率,遮光层也可修补闸极线或资料线。
申请公布号 TWI240108 申请公布日期 2005.09.21
申请号 TW093110019 申请日期 2004.04.09
申请人 广辉电子股份有限公司 发明人 洪孟逸;蔡居宏
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 周信宏 台北市松山区八德路3段230号8楼
主权项 1.一种液晶面板结构,该液晶面板结构系以点反转方式驱动,包含:一上基板;一下基板,平行该上基板;一液晶层,位于该上基板及该下基板间;一彩色滤片层,位于该上基板之下表面;复数条闸极线,位于该下基板之上表面;复数条资料线,位于该下基板之该上表面上并与该复数条闸极线垂直,而两相邻之闸极线与两相邻之资料线定义出一画素区;一画素电极层,位于该下基板之该上表面上,包含复数个画素电极,每个画素电极位于相对应之一画素区上,该画素电极之部分区域与定义出该画素区之两资料线及两闸极线重叠;复数个薄膜电晶体,位于该下基板之该上表面上,每个薄膜电晶体位于相对应之画素区之内或闸极线之上,而每一个薄膜电晶体包含一闸极电极、一汲极电极及一源极电极,该闸极电极与该复数条闸极线之相对应之一闸极线电性连接,该源极电极与该复数条资料线之相对应之一资料线电性连接该汲极电极与相对应之一画素电极电性连接;以及复数个第一不透明区块及复数个第二不透明区块位于下基板之该表面上,用以遮蔽该液晶面板之漏光区域,而该复数个第一不透明区块与该复数条闸极线平行,该复数个第二不透明区块与该复数条资料线平行;其中,每个第一不透明区块置于相对应画素区之两闸极线之一闸极线之侧边,每个第二不透明区块位于相对应画素区之两资料线之一资料线之侧边。2.如申请专利范围第1项之液晶面板结构,其中该复数个第一不透明区块与该复数条资料线于同一微影步骤中形成。3.如申请专利范围第1项之液晶面板结构,其中该复数个第二不透明区块与该复数条闸极线于同一微影步骤中形成。4.如申请专利范围第1项之液晶面板结构,其中该每个第一不透明区块与相对应之一闸极线部分重叠。5.如申请专利范围第4项之液晶面板结构,其中该复数个第一不透明区块之至少一第一不透明区块与相对应之该闸极线透过至少两连接点来电性连接。6.如申请专利范围第5项之液晶面板结构,其中该至少两连接点系以雷射光照射而形成。7.如申请专利范围第1项之液晶面板结构,其中该每个第二不透明区块与相对应之一资料线部分重叠。8.如申请专利范围第7项之液晶面板结构,其中该复数个第二不透明区块之至少一第二不透明区块与相对应之该资料线透过至少两连接点来电性连接。9.如申请专利范围第8项之液晶面板结构,其中该至少两连接点系以雷射光照射而形成。10.一种液晶面板之薄膜电晶体基板,该薄膜电晶体基板包含:一基板;复数个画素单元,该复数个画素单元位于该基板之上,每个画素单元包含:四导线,位于该画素单元之四侧上,包含一第一闸极线、一第二闸极线、第一资料线及一第二资料线,该第一闸极线及该第二闸极线,分别位于该画素单元之两相对侧边上且彼此平行,而该第一资料线及该第二资料线,分别位于该画素单元之另外两相对侧边上,并与该第一闸极线及该第二该复数条闸极线垂直;一画素电极层,位于该画素单元内,该画素电极之部分区域与该四导线之至少一导线部分重叠;一薄膜电晶体,该薄膜电晶体位于该画素单元之内;以及一第一长条遮光层,位于该画素单元之内,并邻近该画素单元之四侧之一第一侧。11.如申请专利范围第10项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该液晶面板系以点反转方式驱动。12.如申请专利范围第11项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该第一侧系为与该画素电极层部分重叠之该至少一导线之相对应侧,且该第一长条遮光层与该相对应侧边之该导线部分重叠。13.如申请专利范围第12项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中与该第一长条遮光层部分重叠之该导线及该第一长条遮光层透过至少两连接点来电性连接。14.如申请专利范围第13项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该至少两连接点系以雷射光照射而形成。15.如申请专利范围第11项之液晶面板之薄膜电晶体基板,更包含一第二长条遮光层,位于邻近与该第一侧垂直之一第二侧边,该第二长条遮光层与该第一长条遮光层垂直,并且与该第二侧边之相对应之该四导线之一导线部分重叠。16.如申请专利范围第15项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中与该第二长条遮光层部分重叠之该导线及该第二长条遮光层透过至少两连接点来电性连接。17.如申请专利范围第16项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该至少两连接点系以雷射光照射而形成。18.如申请专利范围第15项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该第一长条遮光层与及与该第二长条遮光层部分重叠之该导线于同一微影步骤中形成。19.如申请专利范围第15项之液晶面板之薄膜电晶体基板,其中该第二长条遮光层与和该第一长条遮光层部分重叠之该导线于同一微影步骤中形成。20.一种液晶面板之修复方法,该液晶面板包含复数个画素电极及复数个第一长条遮光导线,而该每个画素电极与对应之一画素区之两闸极线及两资料线部分重叠,每个第一长条遮光导线对应一画素区,并与该画素区之两闸极线及两资料线之一平行及部分重叠,该液晶面板修复方法包含步骤:以雷射照射该复数个第一长条遮光导线之至少一第一长条遮光导线,使该至少一第一长条遮光导线及与该第一长条遮光导线部分重叠之该两闸极线及两资料线之一透过至少两连接点来电性连接。21.如申请专利范围第20项之液晶面板修复方法,其中该液晶面板更包含复数个第二长条遮光导线,而该复数个第二长条遮光导线与该复数个第一长条遮光导线垂直,而每个第二长条遮光导线对应一画素区,并与该画素区之两闸极线及两资料线之一平行及部分重叠。22.如申请专利范围第21项之液晶面板修复方法,更包含步骤:以雷射照射该复数个第二长条遮光导线之至少一第二长条遮光导线,使该至少一第二长条遮光导线及与该第二长条遮光导线部分重叠之该两闸极线及两资料线之一透过至少两连接点电性连接。23.如申请专利范围第20项之液晶面板修复方法,其中该液晶面板系以点反转方式驱动。图式简单说明:第一A图是先前技术中液晶面板结构之示意图;第一B图是第一A图中沿1B-1B'线之剖面结构示意图;第一C图是先前技术中具有遮光层之薄膜电晶体基板侧之示意图;第二A图显示一具较高开口率之液晶面板结构之示意图;第二B图是第二A图中沿2B-2B'线之剖面结构示意图;第二C图显示第二A图液晶面板结构漏光区域之示意图;第二D图显示本发明的一较佳实施例之液晶面板结构之示意图;第二E图是第二D图中沿2E-2E'线之剖面结构示意图;第二F图是第二D图中沿2F-2F'线之剖面结构示意图;以及第二G图是显示本发明之液晶面板结构之修补断线示意图。
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