包封半导体之玻璃管及半导体元件之包封方法

摘要

一种用以包封半导体的玻璃，本质上不含铅或其它有害成分，但具有不高于710℃的密封温度，而且能与铜包镍铁线(Dumet)稳定的密封在一起。此外，当该玻璃具有106 dPas的黏度时，该玻璃的温度不会高于710℃，并包括二种或二种以上的Li2O，Na2O以及K2O与B2O3。而且，该玻璃可以包括：含量分别为重量百分率40至70%，5至20%以及0至15%的SiO2，B2O3与Al2O3；总含量重量百分率0至45%的 MgO，CaO，SrO，BaO与ZnO；以及总含量重量百分率5至25%的Li2O，Na2O以及K2O。

主权项

1.一种包封半导体之玻璃管,其系用于将两侧以电极材料包夹之半导体元件气密包封于其内部,而拉管成形者;其实质不含铅,于黏度为106dPas时之温度为710℃以下,且包含Li2O、Na2O及K2O中之至少二种以及B2O3做为必要成分,而其热膨胀系数在30℃至380℃之间时为85x10-7至105x10-7/℃。2.如申请专利范围第1项之包封半导体之玻璃管,其中所包含之玻璃具有以下之组成:SiO2含量为重量百分率40至70%;B2O3含量为重量百分率5至20%;Al2O3含量为重量百分率0至15%;MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO含量为重量百分率0至45%;Li2O+Na2O+K2O含量为重量百分率5至25%(但包含Li2O、Na2O及K2O中之至少二种)。3.如申请专利范围第2项之包封半导体之玻璃管,其中所包含之玻璃之SrO含量为重量百分率1至20%。4.如申请专利范围第2项之包封半导体之玻璃管,其中所包含之玻璃之SiO2含量为重量百分率50.7至70%,Li2O+Na2O+K2O含量为重量百分率14至25%。5.如申请专利范围第2项之包封半导体之玻璃管,其中所包含之玻璃之TiO2含量为重量百分率0至1.5%,Li2O+Na2O+K2O含量为重量百分率14至25%。6.如申请专利范围第1项之包封半导体之玻璃管,其中于150℃时之玻璃之体积电阻系数log(.cm)为10以上。7.如申请专利范围第1项之包封半导体之玻璃管,其中电极材料系包铜镍(dumet)。8.一种半导体元件之包封方法,其特征为包含下列步骤:准备包含如申请专利范围第1项之包封半导体之玻璃管之步骤;于上述玻璃管内,于以电极材料包夹两侧之状态下保持半导体元件之步骤;加热玻璃管使其软化变形,并将半导体元件气密包封于玻璃管内之步骤。9.如申请专利范围第8项之半导体元件之包封方法,其中于710℃以下之温度加热。