发明名称 矽之湿化学处理方法及装置
摘要 本发明之内容系一种利用含有水、硝酸及氢氟酸之蚀刻液体实施矽湿化学处理之方法,其中该蚀刻液体系在首次用于矽湿化学处理之前藉将氮氧化物(NOx)送入该蚀刻液体而加以活化。本发明之另一内容系一装置,该装置包括: a)第一个容器(1),藉助于一含有水、硝酸及氢氟酸之蚀刻液体(4),在该容器内对矽施以湿化学处理, b)第二个容器(2),其中业已容有新蚀刻液体(5),及 c)第一个容器与第二个容器间之连接管线(8),经由该管线(8)将实施湿化学处理过程中在第一个容器内形成之氮氧化物(NOx)送至第二个容器。
申请公布号 TWI240018 申请公布日期 2005.09.21
申请号 TW092128628 申请日期 2003.10.15
申请人 世创电子材料公司 发明人 马克斯密连.史塔德勒;君特.席瓦布;海勒木特.符蓝棋
分类号 C23F1/24 主分类号 C23F1/24
代理机构 代理人 甯育丰 台北市大安区仁爱路4段337号3楼C(百利大厦)
主权项 1.一种利用含有水、硝酸及氢氟酸之蚀刻液体实施矽湿化学处理之方法,其中该蚀刻液体在首次用于矽湿化学处理之前系藉将氮氧化物(NOx)通入该蚀刻液体而加以活化,用于活化作用之氧化氮(NOx)系在第一个容器(1)内,用一蚀刻液体在对矽实施湿化学处理之过程中产生者,该含有水、哨酸及氢氟酸之蚀刻液体,及所形成之氧化氮(NOx)则由第一个容器内排放出来,并将其送入第二个容器(2)(该容器容有同样含有水、硝酸及氢氟酸之新蚀刻液体(5))以活化该新蚀刻液体。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该气氧化物(NOx)系一氧化气(NO)、二氧化氮(NO2)、四氧化二氮(N2O4)或其混合物。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中通入氮氧化物时直到蚀刻液体内之氮氧化物达到饱和为止。4.如申请专利范围第1项之方法,其中湿化学处理过程中所形成之氮氧化物(NOx)系藉助于泵浦(9)自第一个容器(1)内吸取出来并将其送入第二个容器(2)内。5.如申请专利范围第1或4项之方法,其中自第一个容器(1)排放出来之氮氧化物(NOx)系进给管路(6)内,经由该管路(6)、藉助于泵浦(7)将新蚀刻液体(5)加以循环。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该湿化学处理之内容系单晶型矽晶圆。7.一种装置,该装置包括:a)第一个容器(1),藉助于一含有水、硝酸及氢氟酸之蚀刻液体(4),在该容器内对矽施以湿化学处理,b)第二个容器(2),其中业已容有新蚀刻液体(5),及c)第一个容器与第二个容器间之连接管线(8),经由该管线(8)将实施湿化学处理过程中在第一个容器内形成之氮氧化物(NOx)输送至第二个容器。8.如申请专利范围第7项之装置,该装置包含一管路(6)(经由该管路(6)、藉助于一泵浦(7)将新蚀刻液体加以循环)及连接第一个容器(1)及管路(6)之连接管线(8)。9.如申请专利范围第8项之装置,该装置包含一泵浦(9),该泵浦(9)将氮氧化物(NOx)自第一个容器(1)吸出来并将其进给至管路(6)内。图式简单说明:第一图所示系本发明附有连接管线之合适具体实施例。
地址 德国