闸极氧化层之制造方法

摘要

一种闸极氧化层之制造方法，系使晶圆基材在长成闸极氧化层的步骤之前，先在例如为氦气(He)的钝气环境中进行回火制程，以去除、抑制或致密先前在晶圆基材上形成的原生氧化层(Native Oxide)。利用此闸极氧化层之制造方法，可帮助制造厚度薄、品质佳的超薄闸极氧化层，对缩小积体电路线宽来说，很有帮助，并可适用于以高介电系数材料做为闸极氧化层的制程中。

主权项

1.一种闸极氧化层之制造方法,至少包括:提供一基材;进行一清洗制程,以清洗该基材;进行一乾燥步骤;进行一回火步骤,其中系使该基材在充满一钝气之环境下进行该回火步骤,其中上述之钝气系选自于ⅧA元素族所构成之一族群;以及形成一闸极氧化层于该基材上2.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之清洗制程系为一RCA清洗制程,该RCA清洗制程至少包括:进行一第一清洗步骤,其中该第一清洗步骤系利用硫酸与过氧化氢溶液(Sulfuric Acid Hydrogen PeroxideMixture)以进行清洗;进行一第二清洗步骤,其中该第二清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第三清洗步骤,其中该第三清洗步骤系利用氢氧化铵与过氧化氢之水溶液(Ammonium HydrogenPeroxide Mixture)以进行清洗;进行一第四清洗步骤,其中该第四清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第五清洗步骤,其中该第五清洗步骤系利用氯化氢与过氧化氢之水溶液(Hydrochloric Acid HydrogenPeroxide Mixture)以进行清洗:以及进行一第六清洗步骤,其中该第六清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗。3.如申请专利范围第2项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之乾燥步骤系利用异丙醇(IsopropylAlcohol)进行。4.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之钝气系选自于氦(He)、氩(Ar)及氙(Xe)所构成之一族群。5.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之回火步骤之一制程温度在500℃至1100℃之间。6.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之回火步骤之一制程压力系在10Torr至740Torr之间。7.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之闸极氧化层系为二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之闸极氧化层系由高介电系数材料所构成。9.一种晶圆基材之处理方法,系应用在制造一闸极氧化层之前,该晶圆基材之处理方法至少包括:提供该晶圆基材;进行一清洗制程,以清洗该晶圆基材;进行一乾燥步骤;以及进行一回火步骤,其中系使该晶圆基材在充满一钝气之环境下进行该回火步骤,其中上述之钝气系选自于ⅧA元素族所构成之一族群。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆基材之处理方法,其中上述之清洗制程系为一RCA清洗制程,该RCA清洗制程至少包括:进行一第一清洗步骤,其中该第一清洗步骤系利用硫酸与过氧化氢溶液以进行清洗;进行一第二清洗步骤,其中该第二清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第三清洗步骤,其中该第三清洗步骤系利用氢氧化铵与过氧化氢之水溶液以进行清洗;进行一第四清洗步骤,其中该第四清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第五清洗步骤,其中该第五清洗步骤系利用氯化氢与过氧化氢之水溶液以进行清洗;以及进行一第六清洗步骤,其中该第六清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗。11.如申请专利范围第10项所述之晶圆基材之处理方法,其中上述之乾燥步骤系利用异丙醇进行。12.如申请专利范围第9项所述之晶圆基材之处理方法,其中上述之钝气系选自于氦(He)、氩(Ar)及氙(Xe)所构成之一族群。13.如申请专利范围第9项所述之晶圆基材之处理方法,其中上述之回火步骤之一制程温度在500℃至1100℃之间。14.如申请专利范围第9项所述之晶圆基材之处理方法,其中上述之回火步骤之一制程压力系在10Torr至740Torr之间。15.一种闸极氧化层之制造方法,至少包括:提供一基材;进行一清洗制程,以清洗该基材,其中该清洗制程系至少包括:进行一第一清洗步骤,其中该第一清洗步骤系利用硫酸与过氧化氢溶液以进行清洗;进行一第二清洗步骤,其中该第二清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第三清洗步骤,其中该第三清洗步骤系利用氢氧化铵与过氧化氢之水溶液以进行清洗;进行一第四清洗步骤,其中该第四清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一第五清洗步骤,其中该第五清洗步骤系利用氯化氢与过氧化氢之水溶液以进行清洗;以及进行一第六清洗步骤,其中该第六清洗步骤系利用去离子水溶液以进行清洗;进行一乾燥步骤;进行一回火步骤,其中系使该基材在充满一钝气之环境下进行该回火步骤;以及形成一闸极氧化层于该基材上。16.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之乾燥步骤系利用异丙醇进行。17.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之钝气系选自于氦(He)、氩(Ar)及氙(Xe)所构成之一族群。18.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之回火步骤之一制程温度在500℃至1100℃之间。19.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之回火步骤之一制程压力系在10Torr至740Torr之间。20.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之闸极氧化层系为二氧化矽。21.如申请专利范围第15项所述之闸极氧化层之制造方法,其中上述之闸极氧化层系由高介电系数材料所构成。图式简单说明:第1图所绘示为习知超薄闸极氧化层之制造流程图;以及第2图所绘示为本发明超薄闸极氧化层之制造流程图。