| 主权项 |
1.一种在一薄膜形成装置中形成一薄膜于一半导体基板上的方法,该薄膜形成装置包含一处理室、一可在该处理室中垂直移动的支持台及该支持台包含一加热器,该方法包含:一预热制程,用以稳定该处理室的内部温度,其系藉由在该薄膜形成制程之前垂直移动该支持台及该支持台中之该加热器一预定的次数,同时该加热器产生热,以减少该处理室中之温度变化率。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理室的一内壁及一顶部实质上由金属构成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该预热制程系利用安装在该支持台上的一虚设基板来进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该预热制程在惰性气体环境下进行。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该虚设基板在该预热制程期间利用一来源气体接受一CVD制程,该来源气体系由SiH4、Si2H6、Si2H2CI2、GeH4、Ge2H6、Ge2H2CI2及其组合所构成的群组中选出。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该支持台的垂直移动的次数系由包含一停止位置、一在该支持台的停止位置之时间及其组合等因素所决定,所以可稳定该处理室的内部温度。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该支持台在该预热制程期间垂直移动1到30次。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基板的温度在该预热制程之后系在600到800℃之间稳定。9.一种在一薄膜形成装置中形成一薄膜于一半导体基板上的方法,该薄膜形成装置包含一处理室、一可在该处理室中垂直移动的支持台及置于该支持台内的一加热器,该方法包含:在一薄膜形成制程之前执行一预热制程,用于藉由设定该加热器的温度高于该薄膜形成制程所需要的温度一段预定时间来稳定该处理室的内部温度,以补偿由于在该薄膜形成制程中该支持台的垂直移动造成的一温度下降。10.如申请专利范围第9项之方法,其中在该预热制程期间的加热器温度设定为高于在该薄膜形成制程期间所需要的温度100到200℃。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该预热制程系利用安装在该支持台上的一虚设基板来进行。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该预热制程在惰性气体环境下进行。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该虚设基板在该预热制程期间利用一来源气体接受一CVD制程,该来源气体系由SiH4、Si2H6、Si2H2CI2、GeH4、Ge2H6、Ge2H2CI2及其组合所构成的群组中。14.一种在一CVD处理室中形成一薄膜于一半导体基板上之方法,该方法进一步包含:一预热制程,用以稳定该处理室的内部温度,其系藉由在该薄膜形成制程之前垂直移动包含一加热器之该支持台一预定的次数,同时该加热器产生热,以减少该处理室中之温度变化率。图式简单说明:图1所示为一化学气相沉积装置的横截面图。图2所示为根据先前技术使用图1的装置所形成的多晶矽薄膜之厚度。图3所示为根据本揭示内容之图1的装置所形成的多晶矽薄膜之厚度。 |
