| 主权项 |
1.一种ArF准分子雷射用光阻材料,其系含有下式(2)所示重覆单位之重量平均分子量1,000至40,000之高分子化合物的基础树脂、对基础树脂100重量份为0.1~15重量份之酸产生剂、及0~50重量份之溶解控制剂,且其特征为酸产生剂系为下式(1)所示之盐;(式中,R1为羟基、碳数1~6之烷基、碳数1~6之烷氧基;K-为含氟原子之烷烃磺酸酯或芳烃磺酸酯;x为1或2,y为0至3之整数)(式中,R001为氢原子、甲基或CH2CO2R003;R002为氢原子;R003为碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R004为氢原子或碳数1至15之含羧基或羟基之1价烃基;R005至R008中至少1个为碳数1至15之含羧基或羟基之1价烃基,其他为各自独立之氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R005至R008可相互形成环,此时R005至R008中至少1个为碳数1至15之含有羧基或烃基之2价羟基,其他为各自独立之单键或碳数1至15之直链状、支链状或环状之伸烷基;R009为碳数3至15之含有-CO2-部分构造之1价烃基;R010至R013中至少1个为碳数2至15之含有-CO2-部分构造之1价烃基,其他为各自独立之氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R010至R013可相互形成环,此时R010至R013中至少1个为碳数1至15之含有-CO2-部分构造之2价烃基,其他为各自独立之单键或碳数1至15之直链状、支链状或环状之伸烷基;R014为碳数7至15之多环式烃基或含多环式烃基之烷基;R015为酸不稳定基:k为0或1:a1、a2、a3、b1、b2、b3、c1、c2、c3、d1、d2、d3、e为0以上1以下之数,且满足a1 + a2 + a3 + b1 + b2 + b3 + c1 + c2 + c3 + d1+ d2 + d3 + e = 1之条件)。2.一种形成图型之方法,其特征系包含将申请专利范围第1项之光阻材料涂布于基板上之步骤与,于60~150℃间加热处理1~10分钟后,介由光罩使用波长193nm之光线进行曝光之步骤与,于60~150℃间加热处理1~5分钟后,使用0.1~5%硷性显影液进行0.1~3分钟显影之步骤。 |
