| 主权项 |
1.一种可动可运送之静电式基板保持器,其直径及/或边缘长度与所要运送的基板(例如晶圆)的直径及/或边缘长度一致,其局部的、在某些位置的或全部的准确度误差値小于0.1mm。2.一种可动可运送之静电式基板保持器,其特征在:该直径及/或边长在局部或某些位置或全部位置比该所要运送的基板(例如晶圆)少0.1-30mm。3.一种可动可运送之静电式基板保持器,其特征在:该直径及/或边长在局部或某些位或全部位置比所要运送的基板(例如晶圆)小0.1-150 mm。4.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该未受所要运送的基板(例如晶圆)覆盖的区域在局部、某些位置或全部位置比该被盖住的区域厚度达30mm或薄了10mm。5.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:这些保持器作单重或多重钻孔及/或作穿孔,俾将该可动式静电基板保持器之作用到基板上的保持力量藉着同时使用真空保持器而加强。6.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器中及/或保持器的容纳装置中设有一个或多个孔及/或穿孔,以供冷却气体通过以将基板冷却,或供举升销及/或接点销及/或感测器通过。7.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该制造机之内或之外之具有接点销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可以充电及/或放电。8.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该具有举升销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可移动。9.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之与基板(例如晶圆)对立的一侧及/或在两侧或在容纳装置的表面设有一条或数条通道,与该气体通道的一个或数个孔或穿孔相通,且可使冷却气体流通过。10.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器设有一个或数个密封面及/或密封件(密封元件),设在与基板(例如晶圆)对立的背侧及/或前侧上。11.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器在局部或数个位置设有密封件,由聚合物(例如矽烷酮、氟塑胶)、金属(如镍)及/或金属合金(例如镍铬合金)构成,呈实心方式或覆层方式。12.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该基板(例如晶圆)与该保持器之间及/或在该静电保持器的容纳装置与静电保持器之间有一个至数个中间空间,适用于用冷却气体作冷却。13.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该冷却气体可循环及回收再使用。14.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该静电保持器的容纳装置中做入一个至数个密封面及/或密封件(密封元件)。15.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器及/或其容纳装置之与该基板(例如晶圆)对立的前侧及/或背侧作构造化,以造成尽量大的冷却面积以用冷却气体冷却,这种构造化作业系利用锯切、铣切、车削、研磨及/或切割达成,例如利用雷射及/或电子束、湿化学刻蚀,可宜构造化作格子状。16.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该与基板(例如晶圆)对立的保持器及/或容纳装置的前侧及/或背侧利用研磨及/或油性抛光及/或抛光或铣切或车削而加工,以产生尽量好的平坦度与平面平行度。17.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧中加工将实心块状的一种至数种磁性及/或非磁性的金属、金属合金及/或半金属在局部或某些位置或所有位置加工进去,以及/或将保持器的该侧局部或某些位置或全部位置用以上金属、合金、半金属作镀覆。18.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧有一个至数个单极及/或多极式电极。19.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器的容纳装置中将一个至数个磁铁加工进去。20.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该电磁保持器利用玻璃多层技术及/或陶瓷多层技术及/或塑胶多层技术制造。21.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:静电保持器可由陶瓷、玻璃、可光构造化的玻璃、玻璃陶瓷、半导体材料及/或塑胶与金属及合金组合而构成。22.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:利用最细加工,如研磨、抛光、油性抛光、铣切、车削,在该保持器及其容纳装置之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧上加工出密封面,以达到高度之密不透氧性。23.如申请专利范围第1项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器可待续或非持续地供电、充电及/或放电。24.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该未受所要运送的基板(例如晶圆)覆盖的区域在局部、某些位置或全部位置比该被盖住的区域厚度达30mm或薄了10mm。25.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:这些保持器作单重或多重钻孔及/或作穿孔,俾将该可动式静电基板保持器之作用到基板上的保持力量藉着同时使用真空保持器而加强。26.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器中及/或保持器的容纳装置中设有一个或多个孔及/或穿孔,以供冷却气体通过以将基板冷却,或供举升销及/或接点销及/或感测器通过。27.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该制造机之内或之外之具有接点销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可以充电及/或放电。28.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该具有举升销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可移动。29.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之与基板(例如晶圆)对立的一侧及/或在两侧或在容纳装置的表面设有一条或数条通道,与该气体通道的一个或数个孔或穿孔相通,且可使冷却气体流通过。30.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器设有一个或数个密封面及/或密封件(密封元件),设在与基板(例如晶圆)对立的背侧及/或前侧上。31.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器在局部或数个位置设有密封件,由聚合物(例如矽烷酮、氟塑胶)、金属(如镍)及/或金属合金(例如镍铬合金)构成,呈实心方式或覆层方式。32.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该基板(例如晶圆)与该保持器之间及/或在该静电保持器的容纳装置与静电保持器之间有一个至数个中间空间,适用于用冷却气体作冷却。33.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该冷却气体可循环及回收再使用。34.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该静电保持器的容纳装置中做入一个至数个密封面及/或密封件(密封元件)。35.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器及/或其容纳装置之与该基板(例如晶圆)对立的前侧及/或背侧作构造化,以造成尽量大的冷却面积以用冷却气体冷却,这种构造化作业系利用锯切、铣切、车削、研磨及/或切割达成,例如利用雷射及/或电子束、湿化学刻蚀,可宜构造化作格子状。36.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该与基板(例如晶圆)对立的保持器及/或容纳装置的前侧及/或背侧利用研磨及/或油性抛光及/或抛光或铣切或车削而加工,以产生尽量好的平坦度与平面平行度。37.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧中加工将实心块状的一种至数种磁性及/或非磁性的金属、金属合金及/或半金属在局部或某些位置或所有位置加工进去,以及/或将保持器的该侧局部或某些位置或全部位置用以上金属、合金、半金属作镀覆。38.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧有一个至数个单极及/或多极式电极。39.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器的容纳装置中将一个至数个磁铁加工进去。40.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该电磁保持器利用玻璃多层技术及/或陶瓷多层技术及/或塑胶多层技术制造。41.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:静电保持器可由陶瓷、玻璃、可光构造化的玻璃、玻璃陶瓷、半导体材料及/或塑胶与金属及合金组合而构成。42.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:利用最细加工,如研磨、抛光、油性抛光、铣切、车削,在该保持器及其容纳装置之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧上加工出密封面,以达到高度之密不透氧性。43.如申请专利范围第2项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器可持续或非持续地供电、充电及/或放电。44.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该未受所要运送的基板(例如晶圆)覆盖的区域在局部、某些位置或全部位置比该被盖住的区域厚度达30mm或薄了10mm。45.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:这些保持器作单重或多重钻孔及/或作穿孔,俾将该可动式静电基板保持器之作用到基板上的保持力量藉着同时使用真空保持器而加强。46.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器中及/或保持器的容纳装置中设有一个或多个孔及/或穿孔,以供冷却气体通过以将基板冷却,或供举升销及/或接点销及/或感测器通过。47.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该制造机之内或之外之具有接点销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可以充电及/或放电。48.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该具有举升销的保持器及/或该基板(例如晶圆)可移动。49.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之与基板(例如晶圆)对立的一侧及/或在两侧或在容纳装置的表面设有一条或数条通道,与该气体通道的一个或数个孔或穿孔相通,且可使冷却气体流通过。50.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器设有一个或数个密封面及/或密封件(密封元件),设在与基板(例如晶圆)对立的背侧及/或前侧上。51.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该保持器在局部或数个位置设有密封件,由聚合物(例如矽烷酮、氟塑胶)、金属(如镍)及/或金属合金(例如镍络合金)构成,呈实心方式或覆层方式。52.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该基板(例如晶圆)与该保持器之间及/或在该静电保持器的容纳装置与静电保持器之间有一个至数个中间空间,适用于用冷却气体作冷却。53.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该冷却气体可循环及回收再使用。54.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该静电保持器的容纳装置中做入一个至数个密封面及/或密封件(密封元件)。55.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器及/或其容纳装置之与该基板(例如晶圆)对立的前侧及/或背侧作构造化,以造成尽量大的冷却面积以用冷却气体冷却,这种构造化作业系利用锯切、铣切、车削、研磨及/或切割达成,例如利用雷射及/或电子束、湿化学刻蚀,可宜构造化作格子状。56.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该与基板(例如晶圆)对立的保持器及/或容纳装置的前侧及/或背侧利用研磨及/或油性抛光及/或抛光或铣切或车削而加工,以产生尽量好的平坦度与平面平行度。57.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧中加工将实心块状的一种至数种磁性及/或非磁性的金属、金属合金及/或半金属在局部或某些位置或所有位置加工进去,以及/或将保持器的该侧局部或某些位置或全部位置用以上金属、合金、半金属作镀覆。58.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧有一个至数个单极及/或多极式电极。59.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:在该保持器的容纳装置中将一个至数个磁铁加工进去。60.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该电磁保持器利用玻璃多层技术及/或陶瓷多层技术及/或塑胶多层技术制造。61.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:静电保持器可由陶瓷、玻璃、可光构造化的玻璃、玻璃陶瓷、半导体材料及/或塑胶与金属及合金组合而构成。62.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:利用最细加工,如研磨、抛光、油性抛光、铣切、车削,在该保持器及其容纳装置之朝向及/或背向该基板(例如晶圆)的那一侧上加工出密封面,以达到高度之密不透氧性。63.如申请专利范围第3项之可动可运送之静电式基板保持器,其中:该静电保持器可持续或非持续地供电、充电及/或放电。图式简单说明:第1图a系经过本发明的一整个静电保持装置(例如用于作电浆刻蚀者)的剖面图;第1图b一如第1图a系经本发明一整个静电保持装置(例如用于作电浆刻蚀者)的剖面图,但此剖面图相对于第1图a的剖面图转了90之多;第2图a显示依本发明用于可动式静电保持器(2)的一实施例的上视图,举例而言,该静电保持器适用于研磨及抛光;第2图b显示经第2图a的一剖面,此处为一目了然,不显示举升销或接点销;第3图a-c系分别以上视图(第3图a)及剖面图(第3图b与c)显示不同种类的可动式静电保持器(2)(例如用于电浆刻蚀用的保持器)的密封手段,俾使泄漏的气流尽量地少;其中:第3图a的上视图显示该构造化表面的上述图,它用于利用可动式静电保持器(2)的气体通道将气体分布(13)。此图中为了简单明了,不显示基板(晶圆)(1);第3图b系将第3图a的一剖面图,此处在该可动式静电保持器(2)中设有密封件(4);第3图c系经第3图a之本发明另一设计的剖面图;第4图系本发明另一部分的剖面图;第5图a-c系本发明的一部分,其中第5图a例示利用喷砂产生的不均匀构造化(非限定构造化)表面(17);第5图b系均匀构造化(限定构造化)的表面(18);第5图c系依第5图a及第5图b藉构造化产生的表面之所要的图案(19)。 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