| 主权项 |
1.一种制造矽氧烷共聚物之连续方法,其包括:(a)连续将氢矽氧烷、一种或多种能与该氢矽氧烷反应之烯烃系化合物、以及用于该反应之催化剂投料于一含有至少一个连续搅拌槽反应器(CSTR)之系列中的第一个,然后连续由该系列中最后的CSTR中取出粗制的产物流体,其含有矽酮共聚物和未反应的氢矽氧烷以及烯烃系化合物;及(b)连续将该粗制产物流体投料于至少一个塞式流动反应器中,其中产物流体由此连续取出,其中至少有两个CSTRs,及其中该氢矽氧烷含有矽氧烷单元选自包括R3SiO1/2,R2HSiO1/2,R2SiO2/2,RHSiO2/2,RSiO3/2,HSiO3/2,和SiO4/2所组成之任意组合,假若氢矽氧烷含有足够的含矽氧烷R基单元,提供每个矽原子有1.0至3.0个R基,且含有足够的含H矽氧烷单元,使每个矽原子具有0.01至1.0个键结矽的氢原子,以及每个R基个别独立为相同或不同,且每个均代表C1至C12的烷基、含5至12个碳原子的环脂基、或可选择性以1至6个可含高至6个碳原子的烷基所取代之苯基。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中更包括将一种或多种的氢矽氧烷、烯烃系化合物、和催化剂投料于该系列中的第二个CSTR中。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中将氢矽氧烷投料于该第二个CSTR中,与将氢矽氧烷投料于该第一个CSTR中不同。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃系化合物为烯烃系取代的嵌段或随机聚合的聚氧基烯,其对应之分子式为R1(OCH2CH2)v(OCH2CHR3)w-OR2,其中R1代表含3至10个碳原子的烯基;每个R3个别独立为甲基或乙基;R2代表单价的有机基;而足标v为0至200的値,且足标w为0至200的値,假设(v+w)的总和大于0。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中至少一个CSTR由出口到入口为循环流动。图式简单说明:图1为用于制造矽酮共聚物之制造系统的例证。 |
