| 主权项 |
1.一种反射式投影光学系统,用以将一物表面上的 一图案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学 系统包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影 像表面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且具有-0 .14或较小的一傍轴放大率。 2.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该反射式投影光学系统包含六个或更多的 反射镜。 3.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中沿该光学路径距离该影像表面的一第三个 反射镜,在该复数反射镜中具有最大的有效直径。 4.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该复数个反射镜全部是具有多层涂覆的非 球面反射镜,用以反射20奈米或更小波长的光。 5.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该反射式投影光学系统从设置在该物表面 上的一反射光罩将光投影。 6.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该反射式投影光学系统在物表面侧是非远 心的。 7.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该复数个反射镜形成一中间影像。 8.如申请专利范围第7项所述的反射式投影光学系 统,其中该中间影像与该复数反射镜中其一的表面 不一致。 9.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中该复数个反射镜全部设置在该物表面和该 影像表面之间。 10.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中沿该光学路径距离该影像表面的该第二个 反射镜,其傍轴放大率在-30和-0.4之间。 11.如申请专利范围第1项所述的反射式投影光学系 统,其中当该反射式投影光学系统的数値孔径为0. 25时,该会聚光束的两边缘光间的角度,在子午平面 中是9度或较大。 12.一种反射式投影光学系统,用以将一物表面上的 一图案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学 系统包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影 像表面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且当该 反射式投影光学系统的数値孔径为0.25或较大时, 该会聚光束的两边缘光间的角度,在子午平面中是 3度或较大。 13.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该反射式投影光学系统包含六个或更多 的反射镜。 14.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中沿该光学路径距离该影像表面的一第三 个反射镜,在该复数反射镜中具有最大的有效直径 。 15.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该复数个反射镜全部是具有多层涂覆的 非球面反射镜,用以反射20奈米或更小波长的光。 16.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该反射式投影光学系统从设置在该物表 面上的一反射光罩将光投影。 17.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该反射式投影光学系统在物表面侧是非 远心的。 18.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该复数个反射镜形成一中间影像。 19.如申请专利范围第18项所述的反射式投影光学 系统,其中该中间影像与该复数反射镜中其一的表 面不一致。 20.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中该复数个反射镜全部设置在该物表面和 该影像表面之间。 21.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中沿该光学路径距离该影像表面的该第二 个反射镜,其傍轴放大率在-30和-0.14之间。 22.如申请专利范围第12项所述的反射式投影光学 系统,其中当该反射式投影光学系统的数値孔径为 0.25时,该会聚光束的两边缘光间的角度,在子午平 面中是9度或较大。 23.一种反射式投影光学系统,用以将一物表面上的 一图案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学 系统包含六个反射镜,其包括在一光学路径上,从 该物表面至该影像表面,依序的一第一反射镜、一 第二反射镜、一第三反射镜、一第四反射镜、一 第五反射镜、和一第六反射镜,以将光连续反射; 其中,该第一反射镜为凸面或平面状,且该第五反 射镜接收会聚光束。 24.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中该第五反射镜具有-0.14或较小的一傍轴 放大率。 25.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中当该反射式投影光学系统的数値孔径为 0.25或较大时,该会聚光束的两边缘光间的角度,在 子午平面中是3度或较大。 26.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中该六个反射镜形成一中间影像。 27.如申请专利范围第26项所述的反射式投影光学 系统,其中该中间影像与该六个反射镜中其一的表 面不一致。 28.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中该六个反射镜全部设置在该物表面和该 影像表面之间。 29.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中沿该光学路径距离该影像表面的该第二 个反射镜,其傍轴放大率在-30和-0.4之间。 30.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中该第五反射镜的傍轴放大率在-30和-0.4 之间。 31.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中当该反射式投影光学系统的数値孔径为 0.25时,该会聚光束的两边缘光间的角度,在子午平 面中是9度或较大。 32.如申请专利范围第23项所述的反射式投影光学 系统,其中该反射式投影光学系统从该物表面至该 影像表面,包含该第二反射镜、该第一反射镜、该 第四反射镜、该第六反射镜、该第三反射镜、和 该第五反射镜,其中一中间影像形成在该第四和第 三反射镜之间。 33.如申请专利范围第32项所述的反射式投影光学 系统,其中该中间影像形成在该第四和第六反射镜 之间。 34.如申请专利范围第32项所述的反射式投影光学 系统,其中该中间影像形成在该第六和第三反射镜 之间。 35.一种曝光装置,包含: 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影像表 面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且具有-0.14或 较小的一傍轴放大率; 一光罩台,其支撑具有该图案的一光罩,且将该光 罩上的该图案定位于该物表面上; 一晶圆台,其支撑具有一光敏层的一物,并将该光 敏层定位于该影像表面上; 一机构,用以当该光罩被20奈米或更小波长的光照 射时,同步扫描该光罩台和该晶圆台。 36.一种曝光装置,包含: 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影像表 面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且当该反射 式投影光学系统的数値孔径为0.25或较大时,该会 聚光束的两边缘光间的角度,在子午平面中是3度 或较大; 一光罩台,其支撑具有该图案的一光罩,且将该光 罩上的该图案定位于该物表面上; 一晶圆台,其支撑具有一光敏层的一物,并将该光 敏层定位于该影像表面上; 一机构,用以当该光罩被20奈米或更小波长的光照 射时,同步扫描该光罩台和该晶圆台。 37.一种曝光装置,包含: 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含六个反射镜,其包括从该物表面至该影像表面 依序的一第一反射镜、一第二反射镜、一第三反 射镜、一第四反射镜、一第五反射镜、和一第六 反射镜,以将光连续反射,其中,该第一反射镜为凸 面或平面状,且该第五平面反射镜接收会聚光束; 一光罩台,其支撑具有该图案的一光罩,且将该光 罩上的该图案定位于该物表面上; 一晶圆台,其支撑具有一光敏层的一物,并将该光 敏层定位于该影像表面上; 一机构,用以当该光罩被20奈米或更小波长的光照 射时,同步扫描该光罩台和该晶圆台。 38.一种曝光装置,包含: 一照射光学系统,供以从一光源来的光照射一图案 ;及 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影像表 面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且具有-0.14或 较小的一傍轴放大率。 39.如申请专利范围第38项所述的曝光装置,其中该 投影光学系统将从该图案反射的光,投影至该影像 表面上。 40.一种曝光装置,包含: 一照射光学系统,供以从一光源来的光照射一图案 ;及 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影像表 面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且当该反射 式投影光学系统的数値孔径为0.25或较大时,该会 聚光束的两边缘光间的角度,在子午平面中是3度 或较大。 41.如申请专利范围第40项所述的曝光装置,其中该 投影光学系统将从该图案反射的光,投影至该影像 表面上。 42.一种曝光装置,包含: 一照射光学系统,供以从一光源来的光照射一图案 ;及 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含六个反射镜,其包括从该物表面至该影像表面 依序的一第一反射镜、一第二反射镜、一第三反 射镜、一第四反射镜、一第五反射镜、和一第六 反射镜,以将光连续反射,其中,该第一反射镜为凸 面或平面状,且该第五平面反射镜接收会聚光束。 43.如申请专利范围第42项所述的曝光装置,其中该 投影光学系统将从该图案反射的光,投影至该影像 表面上。 44.一种装置的制造方法,包含下列步骤: 使用一曝光装置将一物曝光; 将已曝光的该物显影; 其中该曝光装置包含: 一照射光学系统,供以从一光源来的光照射一图案 ;及 一反射式投影光学系统,用以将一物表面上的一图 案,投影到一影像表面上,该反射式投影光学系统 包含复数反射镜,其中,沿光学路径距离该影像表 面的一第二个反射镜,接收会聚光束,且具有-0.14或 较小的一傍轴放大率。 图式简单说明: 第一图是本发明之一实施例的反射式投影光学系 统的示意构造, 第二图是本发明另一实施例的反射式投影光学系 统的示意构造。 第三图是包含第一图所示之反射式投影光学系统 的曝光装置的示意构造。 第四图是一流程图,用以解释制造装置(例如ICs、 LSIs和类似物的半导体晶片、CCDs、LCDs等)的一方法 。 第五图是第四图所示步骤四'处理晶圆'的详细流 程图。 |
