发明名称 记忆装置、移动向量之检测装置及检测方法
摘要 本发明系提供一种记忆装置、移动向量之检测装置及检测方法之相关技术,其系有关使用于以区块匹配法而检测移动向量时之极佳之记忆装置等。以直接二进位之形式而记忆第1图框(参考图框)的图素资料于记忆体单元阵列部20a之单位A。以2的补数之形式而记忆第2图框(检索图框)的图素资料于记忆体单元阵列部20b之单位B。单位A、B系分别由复数个记忆体单元所组成。将第1、第2图框之图素资料的相关字WL线同时施以活性化,且在1条之位元线BL上结合各记忆体单元之电容器的蓄积电荷。A/D转换器53系用以输出对应于该电荷总量之值的数位信号(差分绝对值)。在图素资料之读出时,同时进行减算、以及绝对值变换。
申请公布号 TWI240278 申请公布日期 2005.09.21
申请号 TW092128571 申请日期 2003.10.15
申请人 新力股份有限公司 发明人 近藤哲二郎;新妻涉;小林直树
分类号 G11C11/41;H04N7/32 主分类号 G11C11/41
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种记忆装置,其特征在于: 能在1条之位元线上,结合连接于活性化之复数条 字线的复数个记忆体单元之电容器的蓄积电荷,其 系具备: 活性化手段,其系将复数条字线,同时施以活性化; 以及 信号输出手段,其系结合有连接于以上述活性化手 段施以活性化之复数条字线的复数个记忆体单元 之电容器的蓄积电荷,并输出数位信号,该数位信 号系对应于在上述1条之位元线上所得之电荷总量 之値。 2.如申请专利范围第1项之记忆装置,其中 上述信号输出手段系具有: 电压变换手段,其系将上述电荷总量变换成对应于 该电荷总量之値的电压信号;以及 类比数位变换手段,其系将以上述电压变换手段而 变换之电压信号,自类比信号而变换成数位信号。 3.如申请专利范围第1项之记忆装置,其中 连接于上述1条之位元线的复数个记忆体单元,系 包含电容器的电容为相异者。 4.如申请专利范围第1项之记忆装置,其中 上述活性化手段系 将2个以上的资料之相关的复数条字线,同时施以 活性化。 5.如申请专利范围第4项之记忆装置,其中 1个资料系N位元(N系正的整数)的资料时,该1个资料 之相关的字线系N条, 连接于上述N条字线之N个记忆体单元的电容器,系 具有对应于上述N位元的资料之各位元的有效位之 电容。 6.如申请专利范围第4项之记忆装置,其中 由连接于各资料之相关的复数条字线的复数个记 忆体单元所组成之单位,系分别记忆着应加算之资 料。 7.如申请专利范围第4项之记忆装置,其中 由连接于各资料之相关的复数条字线的复数个记 忆体单元所组成之单位,系分别记忆着被减数资料 或减数资料。 8.如申请专利范围第7项之记忆装置,其中 上述被减数资料系直接二进位形式之资料,而上述 减数资料系2的补数形式之资料。 9.一种记忆装置,其特征在于: 具备: 第1图框记忆体部,其系由连接于各位元线和字线, 且配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成,并记 忆第1图框之图像信号;以及 第2图框记忆体部,其系由连接于各位元线和字线, 且配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成,并记 忆第2图框之图像信号; 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,系 连续于上述位元线所延伸的方向之列方向而形成, 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,系 能在1条之位元线上,进行连接于活性化之复数条 字线的复数个记忆体单元之电容器的蓄积电荷之 结合, 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,其 连接于各位元线之复数个记忆体单元系分割成连 接于特定数量的字线之特定数量之各记忆体单元 的单位,且在该分割之各单位中,分别记忆着1个之 图素资料, 在上述第1图框记忆体部之上述各单位,系以直接 二进位之形式而记忆有构成各个上述第1图框的图 像信号之图素资料,而在上述第2图框记忆体部之 上述各单位,则以2的补数之形式而记忆有构成各 个上述第2图框的图像信号之图素资料, 更具备: 活性化手段,其系将上述第1图框记忆体部之特定 资料的相关之复数条字线、以及上述第2图框记忆 体部之特定资料的相关之复数条字线,同时施以活 性化; 位元线选择手段,其系选择复数条位元线之中任意 1条位元线;以及 信号输出手段,其系输出数位信号,该数位信号系 对应于由上述位元线选择手段所选择之位元线上 所得之电荷总量之値。 10.如申请专利范围第9项之记忆装置,其中 更具备待避手段,其系对应于由上述活性化手段施 以活性化之字线,而分别将所记忆之1线份的图素 资料予以待避于上述第1图框记忆体部和上述第2 图框记忆体部。 11.如申请专利范围第9项之记忆装置,其中 更具备记忆位置移动手段,其系移动记忆于上述第 1图框记忆体部或上述第2图框记忆体部之图素资 料的记忆位置于行方向。 12.如申请专利范围第9项之记忆装置,其中 1个图素资料系N位元(N系正的整数)的资料时,则该1 个图素资料之相关的字线系N条,而连接于上述N条 字线之N个记忆体单元的电容器,系具有对应于上 述N位元的资料之各位元的有效位之电容。 13.一种记忆装置,其特征在于: 具备记忆体部,其系由连接于各位元线和字线,且 配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成, 上述记忆体部系能在1条之位元线上,进行连接于 活性化之复数条字线之复数个记忆体单元的电容 器的蓄积电荷之结合, 上述记忆体部,其连接于各位元线之复数个记忆体 单元系分割成就各连接于特定数之字线之特定数 的记忆体单元之单元,并分别记忆1个的资料于该 分割之各单位, 更具备: 活性化手段,其系将复数的资料之相阐的字线,同 时方包以活性化; 位元线选择手段,其系选择复数条位元线之中任意 1条位元线;以及 信号输出手段,其系输出数位信号,该数位信号系 对应于由上述位元线选择手段所选择之位元线上 所得之电荷总量之値。 14.如申请专利范围第13项之记忆装置,其中 1个资料系N位元(N系正的整数)的资料时,该1个资料 之相关的字线系N条,而连接于上述N条之字线的N个 记忆体单元之电容器,系具有对应于上述N位元的 资料之各位元的有效位之电容。 15.如申请专利范围第13项之记忆装置,其中 上述记忆体部,其在上述位元线所延伸的方向之列 方向,系具有对应于1图框之复数个图素位置的数 量之单位,而在上述字线所延伸的方向之行方向, 系具有对应于检索位置之数量的单位, 在上述记忆体部之各列的复数个单位,系记忆着分 别所对应的参考图框之图素位置之图素资料与检 索图框之复数个检索位置之图素资料的差分绝对 値之资料, 上述活性化手段,系将对应于构成上述参考图框的 参考区块之各图素的图素位置的单位之相关的字 线,同时施以活性化。 16.一种移动向量检测装置,其特征在于具备: 差分绝对値产生手段,其系使用参考图框之图像信 号和检索图框之图像信号,而在上述参考图框之各 个图素,产生该图素资料与上述检索图框之复数个 检索位置之图素资料的差分绝对値; 差分绝对値和产生手段,其系使用由上述差分绝对 値产生手段所产生之差分绝对値,而在上述参考图 框之各参考区块,产生该参考区块与对应于该参考 区块之上述检索图框之检索范围内之复数的各候 补区块各自之间的差分绝对値和;以及 移动向量检测手段,其系就上述参考图框之各参考 区块,依据由上述差分绝对値和产生手段所产生之 复数的差分绝对値和,而检测对应于上述参考区块 之移动向量。 17.如申请专利范围第16项之移动向量检测装置,其 中 上述差分绝对値产生手段系具备: 第1图框记忆体部,其系由连接于各位元线和字线, 且配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成,并记 忆上述参考图框之图像信号;以及 第2图框记忆体部,其系由连接于各位元线和字线, 且配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成,并记 忆上述检索图框之图像信号; 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,系 连续于上述位元线所延伸的方向之列方向而形成, 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,系 能在1条之位元线上,进行连接于活性化之复数条 字线的复数个记忆体单元的电容器之蓄积电荷之 结合, 上述第1图框记忆体部和上述第2图框记忆体部,其 连接于各位元线之复数个记忆体单元系分割成连 接于特定数的字线之特定数的记忆体单元之各单 位,并分别记忆1个图素资料于该分割之各单位, 在上述第1图框记忆体部之上述各单位,系以直接 二进位的形式而记忆有构成各个上述参考图框的 图像信号之图素资料,而在上述第2图框记忆体部 之上述各单位,系以的补数之形式而记忆有构成各 个上述检索图框的图像信号之图素资料, 更具备: 活性化手段,其系将上述第1图框记忆体部的特定 资料之相关的复数条字线、以及上述第2图框记忆 体部的特定资料之相关的上述复数条字线,同时施 以活性化; 记忆位置移动手段,其系将记忆于上述第1图框记 忆体部或上述第2图框记忆体部之图素资料的记忆 位置,予以移动于行方向; 位元线选择手段,其系用以选择复数条位元线之中 任意1条之位元线;以及 信号输出手段,其系输出数位信号,该数位信号系 对应于由上述位元线选择手段所选择之位元线上 所得之电荷总量之値。 18.如申请专利范围第16项之移动向量检测装置,其 中 差分绝对値和产生手段系 具备记忆体部,其系由连接于各位元线和字线,且 配置成阵列状之复数个记忆体单元所组成, 上述记忆体部系能在1条之位元线上,进行连接于 活性化之复数条字线之复数个记忆体单元的电容 器的蓄积电荷之结合, 上述记忆体部其连接于各位元线之复数个记忆体 单元,系分割成连接于特定数的字线之特定数的记 忆体单元之各单位, 上述记忆体部,其在上述位元线所延伸的方向之列 方向,系具有对应于1图框之复数个图素位置之数 量的单位,而在上述字线所延伸的方向之行方向, 系具有对应于检索位置之数量的单位, 在上述记忆体部的各列之复数个单位,系分别记忆 着所对应之参考图框之图素位置的图素资料与检 索图框之复数个检索位置之图素资料的差分绝对 値资料, 更具备: 活性化手段,其系将对应于构成上述参考图框的参 考区块之各图素的图素位置之单位之相关的字线, 同时施以活性化; 位元线选择手段,其系用以选择复数条位元线之中 任意1条之位元线;以及 信号输出手段,其系输出数位信号,该数位信号系 对应于由上述位元线选择手段所选择之位元线上 所得之电荷总量之値。 19.一种移动向量检测方法,其特征在于具备: 使用参考图框之图像信号和检索图框之图像信号, 而在上述参考图框之各个图素,产生该图素资料与 上述检索图框之复数个检索位置之图素资料的差 分绝对値之步骤; 使用上述所产生之差分绝对値,而在上述参考图框 之各参考区块,产生该参考区块与对应于该参考区 块之上述检索图框之检索范围内的复数的各候补 区块之间的差分绝对値和之步骤;以及 就上述参考图框之各参考区块,依据上述产生之复 数的差分绝对値和,而检测对应于上述参考区块的 移动向量之步骤。 图式简单说明: 图1系表示作为实施形态之移动补偿预测编码装置 之构成的区块图。 图2系用以说明区块匹配法之图示。 图3A和图3B系用以说明区块匹配法之图示。 图4A、图4B和图4C系用以说明区块匹配法之图示。 图5系用以说明区块匹配法之图示。 图6系表示移动向量检测电路的构成之区块图。 图7系表示记忆体区块的构成例之区块图。 图8系用以说明记忆体单元阵列的构成之图示。 图9A和图9B系分别表示构成记忆体单元阵列之单位 A和单位B的构成之图示。 图10系用以说明减法演算的具体例之图示。 图11系表示位元线电荷总量和输出値的关系(减法 时,则为绝对値变换)之图示。 图12系表示位元线电荷总量和输出値的关系(减法 时,则为绝对値变换)之图示。 图13系用以说明所产生之差分绝对値之图示。 图14系用以说明差分计算处理之图示。 图15系用以说明差分计算处理之图示。 图16系表示记忆体区块的构成例之区块图。 图17系用以说明记忆体单元阵列的构成之图示。 图18系用以说明记忆体单元阵列的构成之图示。 图19系用以说明加法演算的具体例之图示。 图20系表示位元线电荷总量和输出値的关系(加法 之情形时)之图示。 图21系表示移动向量检测的处理顺序之流程图。 图22系表示习知之记忆体区块的构成例之区块图 。 图23系表示习知之记忆体区块之记忆体单元阵列 的一部份之图示。 图24系表示习知之移动向量检测电路的构成之区 块图。 图25系表示习知之移动向量检测的处理顺序之流 程图。
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