发明名称 具有关联性质之双密度碟片
摘要 一光储存碟片具有该等用于储存预录或灌制资料的部分,以及用于储存用户可写入资料的部分,其中灌制部分与可写入部分具有不同的储存容量或面资料密度。于制造期间,一基板系构成连串的凸块用以代表灌制资料,以及一系列的沟槽与槽脊,其中资料之后系写入在槽脊上。一相变材料系沉积覆盖基板,在写入时,例如,藉由一雷射,该相变材料的物理结构与光学常数受到改变。
申请公布号 TWI240266 申请公布日期 2005.09.21
申请号 TW092104062 申请日期 2003.02.26
申请人 资料播放股份有限公司 发明人 大卫L. 布兰肯贝克;布莱恩S. 梅多尔;大卫H. 戴维斯
分类号 G11B7/24;G11B7/26 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种光储存碟片,其系包括: 一环形基板,其具有一第一主要表面以及一相对的 第二主要表面; 凸块,其系构成在环形基板的一第一部分上,其中 该等凸块系表示预录资料; 槽脊,其系构成在环形基板的一第二部分上;以及 一相变材料,其系沉积在基板之至少第二部分上, 当未写入时,相变材料具有一第一状态,以及当写 入时,相变材料具有一第二状态,其中将资料写入 位在槽脊上的相变材料中,并且其中第一部分与第 二部分的资料密度系为不同的。 2.如申请专利范围第1项之碟片,其中该第一部分的 密度低于与第二部分的密度。 3.如申请专利范围第1项之碟片,其中该第一部分系 置在第一主要表面上,以及第二部分系位在第二主 要表面上。 4.如申请专利范围第3项之碟片,其中该第一部分的 密度约为3.8百万位元/平方公厘,以及第二部分的 密度约为4.7百万位元/平方公厘。 5.如申请专利范围第1项之碟片,其中该第一部分与 第二部分系位在第二主要表面上。 6.如申请专利范围第1项之碟片,其中该由第一状态 变化至第二状态改变了相变材料的材料结构与光 学相位,并且该二变化有助于反射光束之总光学相 位系位在相同的方向上。 7.如申请专利范围第6项之碟片,其中该相变材料系 为锑、铟及锡之合金。 8.如申请专利范围第1项之碟片,其中该光碟片系为 一第一表面碟片。 9.如申请专利范围第1项之碟片,其中该写入资料系 自槽脊读取,以及预录资料系自凸块读取。 10.如申请专利范围第1项之碟片,其中该碟片之外 径约为50公厘或更小。 11.如申请专利范围第10项之碟片,其中该碟片之外 径约为32公厘或更小。 12.如申请专利范围第1项之碟片,其中该碟片之厚 度约为0.6公厘或更小。 13.如申请专利范围第1项之碟片,其中该相变材料 亦沉积在基板的第一主要表面上。 14.如申请专利范围第1项之碟片,其中该相变材料 在第二状态下的反射性系高于在第一状态下的反 射性。 15.如申请专利范围第1项之碟片,其中该基板包含 一聚碳酸酯材料。 16.一种光储存碟片,其系包括: 一环形基板,其具有一第一表面以及一相对的第二 表面; 一预录部分,其包含凸块与平面区域; 一可写入部分,其包含槽脊,该写入部分的储存容 量高于预录部分的储存容量;以及 一相变材料,其系构成覆盖凸块与槽脊,其中资料 系写入在槽脊上。 17.如申请专利范围第16项之碟片,其中该预录部分 与可写入部分系位在基板的不同表面上。 18.如申请专利范围第16项之碟片,其中该灌制的资 料系以凸块形式储存。 19.如申请专利范围第16项之碟片,其中该相变材料 当未写入时,相变材料系处在一第一状态,以及当 写入时,相变材料系处在一第二状态。 20.如申请专利范围第19项之碟片,其中该第一状态 系为一非晶态,以及第二状态系为一结晶态。 21.如申请专利范围第19项之碟片,其中该由第一状 态变化至第二状态改变了相变材料的材料结构与 光学相位,并且该二变化有助于反射光束之总光学 相位系位在相同的方向上。 22.如申请专利范围第21项之碟片,其中该对于材料 结构的改变减小了相变材料的厚度,以及对光学相 位的改变增加由相变材料反射之光线的光程长度 。 23.一种制造一光碟片的方法,其包括以下的步骤: 在一基板的第一部分上构成凸块与平面部分; 在基板的第二部分上构成槽脊,其中第二部分的储 存容量系高于第一部分的储存容量;以及 将一相变材料至少沉积覆盖槽脊,其中预录资料系 自凸块中读取,并且写入资料系写入沉积在槽脊上 的相变材料中并自该材料读取写入资料。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中该相变材料 当未写入时,相变材料系处在一第一状态,以及当 写入时,相变材料系处在一第二状态。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二状态 的厚度与光学相位系与第一状态的厚度与光学相 位不同。 26.如申请专利范围第24项之方法,其中该厚度系有 助于在第二状态下的相位。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中该由第一状 态变化至第二状态改变了在相同的方向上相变材 料的材料结构与光学相位。 28.如申请专利范围第23项之方法,其进一步包括将 资料写入至位在槽脊上的相变材料中。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该写入作业 系使用处在约为650奈米的波长下的一雷射执行。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中该写入作业 将相变材料由一第一非晶态变化至一第二结晶态 。 图式简单说明: 第1A图系为一第二表面碟片的一横截面侧视图。 第1B图系为一第一表面碟片的一横截面侧视图。 第2图系为本发明之一具体实施例的一第一表面光 碟200的俯视图。 第3图系为包含可写入部分204的光碟片200,沿着第2 图之一断面线3-3所取的一侧视图。 第4图系为包含唯读记忆体(ROM)部分202的光碟片200, 沿着第2图之一断面线4-4所取的一侧视图。 第5图系为光碟片200沿着唯读记忆体(ROM)部分202之 一区域的一俯视图。
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