| 主权项 |
1.一种电致发光二极体,其具有:一埋置于一浇注材 料(3)中且固定在一载体(1)上之发出辐射之半导体 晶片(4);及一透镜体(2),其特征为:该载体(1)含有矽 或陶瓷且该透镜体(2)含有玻璃。 2.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 陶瓷含有氮化铝或氧化铝。 3.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 浇注材料(3)含有聚矽氧烷,聚矽倍半氧烷,T-树脂, 苯乙烯,氟化合物(特别是聚四氟乙烯),氯乙烯及/ 或环氧化物。 4.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 透镜体(2)藉由浇注材料(3)而与该载体(1)相黏合。 5.如申请专利范围第1或4项之电致发光二极体,其 中该透镜体(2)和载体(1)围绕该浇注材料(3),该半导 体晶片(4)埋置于该浇注材料(3)中。 6.如申请专利范围第5项之电致发光二极体,其中该 透镜(2)及/或载体(1)具有一种面向该浇注材料(3)之 凹口,以补偿该浇注材料(3)之热膨胀。 7.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 载体(1)设有导电轨(6)使可与该发出辐射之半导体 晶片(4)相接触。 8.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 载体(1)之面向该半导体晶片(4)之表面至少一部份 设有一种绝缘用之介电质涂层。 9.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中该 半导体晶片(4)发出蓝色-或紫外线光谱区中之辐射 。 10.如申请专利范围第1项之电致发光二极体,其中 该半导体晶片(4)含有一种氮化物化合物半导体。 11.如申请专利范围第10项之电致发光二极体,其中 该氮化物化合物半导体是第三及/或第五族之元素 之氮化物化合物,特别是GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlN 或InN。 图式简单说明: 第1图 本发明之实施例之电致发光二极体之俯视 图。 第2图 沿着第1图所示之实施例之线A-A'之横切面。 第3图 沿着第1图所示之实施例之线B-B'之横切面。 第4图 沿着第1图所示之实施例之线C-C'之横切面。 |
