| 主权项 |
1.一种热密封膜,其具有不超过30%的雾性,其包含:(i )作为最外层之双轴向的聚对苯二甲酸乙烯酯层,( ii)作为第二层之聚乙烯树脂层,(iii)作为第三层之 聚烯烃型树脂层,与(iv)作为第四层之密封层,该密 封层具有小于30m之厚度,其中该密封层系由树脂 组成物制造,该组成物包含下述组成(a)至(c)总重量 之50至100wt%: (a)5至50wt%之嵌段共聚物,其为50至95wt%苯乙烯型烃 与5至50wt%共轭二烯型烃之嵌段共聚物, (b)5至50wt%乙烯/-烯烃之无规共聚物, (c)5至70wt%之嵌段共聚物,其为10至50wt%苯乙烯型烃 与50至90wt%共轭二烯型烃之嵌段共聚物,及 (d)0至50wt%之耐冲击性聚苯乙烯。 2.如申请专利范围第1项之热密封膜,其至少一面系 施以抗静电处理。 3.一种电子组件载体胶带用之覆盖胶带,其系由如 申请专利范围第1或2项之热密封膜制成。 4.一种电子组件用之载体袋,其系由如申请专利范 围第1或2项之热密封膜制成。 5.一种制造如申请专利范围第1项之热密封膜之方 法,其包含下述步骤:于最外层之双轴向的聚对苯 二甲酸乙烯酯上涂覆AC剂;挤压-涂覆第二层之聚乙 烯树脂;及共挤压-涂覆第三层之聚烯烃型树脂层 与第四层之密封层之步骤。 6.一种制造如申请专利范围第1项之热密封膜之方 法,其包含下述步骤:于最外层之双轴向的聚对苯 二甲酸乙烯酯上涂覆AC剂;及经由第二层之聚乙烯 树脂,挤压-层压包含第三层之聚烯烃树脂层与第 四层之密封层的共挤压层之步骤。 7.一种制造如申请专利范围第2项之热密封膜之方 法,其包含下述步骤:于最外层之双轴向的聚对苯 二甲酸乙烯酯上涂覆AC剂;挤压-涂覆第二层之聚乙 烯树脂;共挤压-涂覆第三层之聚烯烃型树脂层与 第四层之密封层;及于双轴向的聚对苯二甲酸乙烯 酯层表面与密封层表面之至少一面上施以抗静电 处理之步骤。 8.一种制造如申请专利范围第2项之热密封膜之方 法,其包含下述步骤:于最外层之双轴向的聚对苯 二甲酸乙烯酯上涂覆AC剂;及经由第二层之聚乙烯 树脂,挤压-层压包含第三层之聚烯烃树脂层与第 四层之密封层的共挤压层;及于双轴向的聚对苯二 甲酸乙烯酯层表面与密封层表面之至少一面上施 以抗静电处理之步骤。 9.如申请专利范围第7或8项之制造热密封膜之方法 ,其中在施以抗静电处理步骤前,先在藉抗静电处 理之至少一个表面上进行电晕放电处理。 10.如申请专利范围第5至8项中任一项之方法,其中 所有的步骤系在同一个制造线上进行。 11.如申请专利范围第1或2项之热密封膜,其系作为 容纳电子组件之容器之覆盖材料。 |
