半导体激光模块和具有光反馈功能的半导体激光装置

摘要

一半导体泵浦激光器模块用于辐射在暂态稳定性上具有优势的泵浦激光。此半导体泵浦激光器模块包括具有在GaAs衬底上形成的层结构的半导体激光装置，其中此层结构具有量子井结构的活性层，并由包含镓和砷的半导体材料构成，和一具有光反馈功能的部件。这两个组件是光学耦合的。此半导体激光装置的活性层中的井层是一厚度为10nm或更多的厚层。此活性层被掺入硅，在活性层下面的一n型覆盖层也被掺入硅。

主权项

1、一半导体泵浦激光部件包括：一具有形成在砷化镓衬底的表面上的层结构的半导体泵浦激光装置，一包括所述层结构的至少一部分且其传播轴方向平行于所述砷化镓衬底表面的谐振腔，所述层结构具有一活性层，此活性层的量子井结构的至少一部分在所述谐振腔内，所述活性层由一种或多种至少包含镓和砷的半导体材料构成，所述量子井结构至少包括一个井层和一个势垒层，所述谐振腔和层结构使沿着谐振腔的传播轴传播的光的纵向模式具有空间间隔(ΔλFP)；和与所述半导体泵浦激光装置产生的光相光学耦合的光反馈元件，所述光反馈元件具有大于或等于纵向模式的空间间隔的两倍的反射率带宽；和其中所述半导体泵浦激光部件可产生具有多纵向模式的光；其中所述量子井结构的至少一个井层的厚度为10nm或更厚。