垂直NROM

摘要

适用于垂直存储器单元的结构和方法。该垂直存储器单元包括从基片(300)向外延伸的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) (301)。该MOSFET具有第一源极/漏极区域(302)、第二源极/漏极区域(306)、在第一和第二源极/漏极区域之间的沟道区域(305)以及通过栅极绝缘体(307)与沟道区域(305)相隔开的栅极(309)。第一传输线与第一源极/漏极区域(302)相耦合。第二传输线与第二源极/漏极区域(306)相耦合。该MOSFET适用于编程以具有在栅极绝缘体(307)的第一存储区域(240)和第二存储区域(350)的至少一个区域中俘获的电荷，并且以第一源极/漏极区域(302)或者第二源极/漏极区域(306)中作为源极区域进行工作。

主权项

1.一种垂直多比特单元，它包括：从基片向外延伸的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述MOSFET具有第一源极/漏极区域，第二源极/漏极区域，在第一和第二源极/漏极区域之间的沟道区域，以及通过栅极绝缘体与沟道区域相隔开的栅极；耦合于第一源极/漏极区域的第一传输线；耦合于第二源极/漏极区域的第二传输线；以及，其中，所述MOSFET是编程MOSFET，它在栅极绝缘体中的第一存储区域和第二存储区域中至少一个区域具有编程的电荷，并且编程MOSFET通过将第一源极/漏极区域或者第二源极/漏极区域用作源极区域来进行操作，使得可编程MOSFET以减小的漏源电流进行操作。