用于具有高热稳定性超浅结中的含铱硅化镍及其制法

摘要

一种集成电路器件及其制造方法，包括在与铱夹层一起制备的硅衬底上的硅化镍。在一个实施方案中，该方法包括在硅化反应之前，先将铱(Ir)交界层沉积在镍层和硅层之间。通过加入薄的铱层大大改善了热稳定性。这通过超浅结低的结漏电流以及在850℃下退火之后硅化物低的薄膜电阻而证明。

主权项

1.一种在硅衬底上制备硅化镍的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在所述的硅衬底上沉积铱；在所述的硅衬底上沉积镍，其中所述的镍与所述的铱相接触；而且将所述的铱和镍退火以在所述的硅衬底上形成硅化镍。