| 发明名称 | 电容压力传感器 | ||
| 摘要 | 电容压力传感器1，包括：基体10，其在一端面具有带有凹陷中心区域的支撑薄膜床11；与基体沿着接合位置气密连接的薄膜17，其中薄膜17覆盖薄膜床11。测量电极13设置在薄膜床的中心区域；参考电极14设置在凹槽12中，以增加其到在薄膜17上的相对电极18的距离。因此，在参考电极和相对电极之间的参考电容对于薄膜17的与压力相关的偏移变得敏感。结果，这导致压力传感器敏感性的增大。 | ||
| 申请公布号 | CN1672023A | 申请公布日期 | 2005.09.21 |
| 申请号 | CN03818277.7 | 申请日期 | 2003.07.18 |
| 申请人 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 发明人 | 武尔佛特·德勒韦斯;弗兰克·赫格纳 |
| 分类号 | G01L9/00;G01L19/06 | 主分类号 | G01L9/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.电容压力传感器(1)，包括：基体(10)，其在一端面具有带有凹陷中心区域的支撑薄膜床(11)；与基体(10)沿着接合位置气密连接的薄膜(17)，其中薄膜(17)覆盖薄膜床(11)；第一电极(13)，其设置在薄膜床(11)的中心部分上；第二电极(14)，其设置在第一电极(13)和基体(10)端面接合位置之间的范围内；相对电极(18)，其设置在薄膜对着基体(10)的面上；其特征在于薄膜床(11)在第一电极(13)和接合位置之间的范围内具有凹处(12)，其中设置第二电极(14)。 | ||
| 地址 | 德国毛尔堡 | ||