包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法

摘要

提供一种包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一布线；第二布线；存储单元；以及接触栓塞。在层间绝缘膜中形成第一布线。在层间绝缘膜上形成第二布线。存储单元包含在第二布线上形成的第一铁磁性膜、在第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜。在第一布线上形成接触栓塞，它连接第一布线和第二布线，其上表面位于比第二布线高的位置。

主权项

1、一种半导体存储装置，其特征在于包括：在层间绝缘膜中形成的第一布线；在上述层间绝缘膜上形成的第二布线；包含在上述第二布线上形成的第一铁磁性膜、在上述第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在上述隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜的存储单元，以及在上述第一布线上形成，连接上述第一布线和上述第二布线，且其上表面位于比上述第二布线高的位置的接触栓塞。