发明名称 |
场效应管的偏置电路 |
摘要 |
本发明公开了一种场效应管的偏置电路,其特征是:利用功率消耗极小的晶体管组成的电流变动信息电路和电阻,构成电压变动信息电路,此电压变动信息电路与一个分压网络结合,全体构成一个偏置电路。偏置电路用于控制另一支实际信号动作场效应管的栅极电压,从而使信号动作场效应管的静态漏极电流保持稳定。此偏置电路,可使信号动作场效应管高效率工作同时,具备信号动作场效应管电路的静态漏极电流特性的温度补偿的作用,此外还可以减小整枚晶圆内各个芯片的信号动作场效应管静态漏极电流偏差。整个偏置电路面积和功耗极小,可与信号动作场效应管一起集成在一个IC芯片里。也可以与信号动作场效应管相邻并分别装在同一支管壳内。本电路成本低,面积小,易集成制造。 |
申请公布号 |
CN1671042A |
申请公布日期 |
2005.09.21 |
申请号 |
CN200410056160.4 |
申请日期 |
2004.08.02 |
申请人 |
阎跃军 |
发明人 |
阎跃军 |
分类号 |
H03F1/30;H03F3/16 |
主分类号 |
H03F1/30 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种场效应管的偏置电路,其特征在于该电路包括:具有电源(18)的低损耗反映晶体管电流变动信息电路(1),与电路(1)的信号输出端连接的电阻(2),电阻(2)的另一端上施加基准电压源(7);电路(1)与电阻(2)的连接点作为提供电压变动信息的端子(3),通过将端子(3)的电压变动信息提供给至少接有一个电压源(10)的分压网络(4),并从分压网络(4)中取出一个分压,作为输出端(5)。 |
地址 |
518045广东省深圳市福田区滨河路爱地大厦西座16楼E,F座 |