发明名称 半导体装置的制造方法及半导体元件的定位方法
摘要 一种半导体装置的制造方法及半导体元件的定位方法,包括:在基体材料上设置设有对准标记的半导体元件的工序;形成表面上设置了金属膜的绝缘膜,使其覆盖该半导体元件表面的工序;除去该绝缘膜及该金属膜的一部分,使对准标记露出的工序。通过检测露出的对准标记,把握基体材料上的半导体元件的电极的位置。
申请公布号 CN1670911A 申请公布日期 2005.09.21
申请号 CN200510055803.8 申请日期 2005.03.16
申请人 三洋电机株式会社 发明人 臼井良辅;井上恭典
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李贵亮;杨梧
主权项 1、一种半导体装置的制造方法,其包括:在基体材料上设置设有对准标记的半导体元件的工序;形成表面上设置了金属膜的绝缘膜,使其覆盖所述半导体元件表面的工序;除去所述绝缘膜及所述金属膜的一部分,使所述对准标记露出的工序。
地址 日本大阪府