用以分析晶片制程中的集成电路的缺陷的设备及方法

摘要

一种用以分析晶片制程中的集成电路的缺陷的设备及方法，其以非对称性重新检视法分析半导体晶片的缺陷的设计，可在有限的检视设备及人力下，有效地从众多的报告缺陷中取出具高产率杀伤力的缺陷。在此方法中，首先，检测半导体晶片，借此获得缺陷的位置及大小。接着，以计算非对称性缺陷重新检视比率进行此些缺陷的非对称性取样，借此非对称地重新检视此些缺陷。此外，本发明的非对称取样可视缺陷的系统及方法，能够借由计算非对称性缺陷重新检视比率，从大量的缺陷中有效地取出会高度降低产率的缺陷。

主权项

1.一种用以分析晶片制程中的一集成电路的缺陷的方法，包括：检测一晶片，并自动地辨认出多个缺陷；将该些缺陷分类成多个群组，该些群组具有一第一群组及一第二群组，该第一群组只包含报告大小至少与一第一预设大小一样小的缺陷，该第二群组只包含报告大小至少与该第一预设大小一样大的缺陷；以及分别从该第一群组及该第二群组选取数目比为Ny∶Nx的缺陷，以进一步地重新检视，其中Ny/Nx的值大于该第二群组的缺陷数和该第一群组的缺陷数的比值。