基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路

摘要

一种涉及电源设备的基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路，包括P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET和负载，MOSFET漏极与负载相连，MOSFET源极与输入端相连，负载接地，其特征在于：MOSFET源极与栅极之间连接PNP三极管，三极管发射极与MOSFET源极相连，三极管集电极与MOSFET栅极相连，三极管设置有偏流支路，三极管发射极与基极之间连有电容，MOSFET漏极与三极管基极之间连有二极管，该二极管的阳极与MOSFET漏极相连；偏流支路末端串联有光耦，所述的光耦通过触发开关触发导通；三极管基极串接一个或多个降压二极管，本实用新型无额外的功率损耗，成本低，反应灵敏度高，抗干扰能力强。

主权项

1.一种基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路，包括P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET(Q)和负载(LOAD)，MOSFET(Q)漏极与负载(LOAD)相连，MOSFET(Q)源极与输入端(Vin)相连，负载(LOAD)接地，其特征在于：所述的MOSFET(Q)源极与栅极之间连接PNP三极管(Q01)，所述的三极管(Q01)发射极与MOSFET(Q)源极相连，所述的三极管(Q01)集电极与MOSFET(Q)栅极相连；所述的三极管(Q01)设置有偏流支路(1)；所述的三极管(Q01)发射极与基极之间连有电容(C01)；所述的MOSFET(Q)漏极与三极管(Q01)基极之间连有二极管(D03)，二极管(D03)的阳极与MOSFET(Q)漏极相连。