| 发明名称 | 场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，包括具有第一部分(18)和第二部分(20)的漏区(12)，所述第二部分比所述第一部分更加轻掺杂。沟道区(14)邻近所述第二部分，漏电极(24)位于漏区上。栅电极(16)位于沟道区上。屏蔽结构(30)位于漏区上并具有距半导体衬底(10)第一距离(33)的第一部分(32)和距半导体衬底第二距离(35)的第二部分(34)，所述第二距离大于所述第一距离。在特定的实施方式中，FET包括其中第一和第二部分物理上独立的屏蔽结构。这些屏蔽部分的位置可以在FET内变化，各部分的电位可以独立控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1672263A | 申请公布日期 | 2005.09.21 |
| 申请号 | CN03817910.5 | 申请日期 | 2003.06.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 赫尔穆特·布雷克 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/08 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包含：半导体衬底；位于半导体衬底中并具有第一部分和第二部分的漏区，所述第二部分比所述第一部分更加轻掺杂；位于半导体衬底中并邻近漏区的第二部分的沟道区；位于沟道区上的栅电极；位于漏区第一部分上的漏电极；位于漏区第二部分上的导电屏蔽结构，该导电屏蔽结构具有距半导体衬底第一距离的第一部分，并具有距半导体衬底第二距离的第二部分，所述第二距离大于所述第一距离。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||