发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下步骤:在基片上形成栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成半导体层;在半导体层上形成数据线及漏极;在数据线及漏极上沉积钝化层;在钝化层上形成光致抗蚀剂,该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分;利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层,以至少部分地露出漏极的一部分;除去光致抗蚀剂的第二部分;沉积导电薄膜;以及除去光致抗蚀剂,以在漏极的露出部分上形成像素电极。 |
申请公布号 |
CN1670909A |
申请公布日期 |
2005.09.21 |
申请号 |
CN200510055765.6 |
申请日期 |
2005.03.21 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李禹根;赵范锡;李制勋;郑敞午;金湘甲;吴旼锡;李永旭;崔熙焕 |
分类号 |
H01L21/00;G02F1/1368;G09G3/36;G09G3/38 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
李伟;彭焱 |
主权项 |
1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括以下步骤:在基片上形成栅极线;在所述栅极线上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成半导体层;在所述半导体层上形成数据线及漏极;在所述数据线及所述漏极上沉积钝化层;在所述钝化层上形成光致抗蚀剂,所述光致抗蚀剂包含第一部分和比所述第一部分薄的第二部分;利用将所述光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述钝化层,以至少部分地露出所述漏极的一部分;除去所述光致抗蚀剂的第二部分;沉积导电薄膜;以及除去所述光致抗蚀剂,以在所述漏极的露出部分上形成像素电极。 |
地址 |
韩国京畿道 |