使用经蚀刻沟槽以形成厚介电区域之方法

摘要

一种制造一半导体元件之方法系包括提供一具有彼此相对的第一及第二主表面之半导体基材。此方法亦包括在半导体基材中提供一或多个沟槽、第一台面及第二台面。此方法亦包括氧化各沟槽的侧壁及底部；沉积一经掺杂氧化物至各沟槽内及第一及第二台面顶部上；及以一足以造成经沉积氧化物流动之温度来热氧化半导体基材，使得各第一台面中的矽完全地转变至二氧化矽而各第二台面中的矽只部分地转变至二氧化矽且使得各沟槽充填有氧化物。