| 摘要 |
形成一场效电晶体，使其具有环绕(wrap–around)、垂直对准(vertically–aligned)、及双闸极电极(dual gate electrodes)。以含有一埋层矽岛(buried silicon island)之一绝缘层上矽(silicon–on–insulator,SOI)结构为开始，藉由在绝缘层上矽结构内产生一空腔以定义一垂直参考边缘，且此垂直参考边缘在可确实执行的两次回蚀刻步骤的过程中使用。第一回蚀刻移除一第一距离之一部份氧化层，并在移除部分铺以一闸极导体物质。第二回蚀刻移除一第二距离之一部份闸极导体物质。第一与第二距离之间的差值定义了最终元件的闸极长度。移除氧化层之后，显露出在所有四个侧边表面环绕埋层矽岛的一垂直闸极电极。 |
