| 摘要 |
一种经部份地制成之半导体装置，其包含有一半导体基材。该装置包含有一形成于该基材上之第一氧化物层，藉着将一光罩设置于该被氧化物所覆盖的基材上，而将数个第一沟渠与至少一第二沟渠蚀刻通过该将形成台面之氧化物层。该至少一第二沟渠系比每个该等数个第一沟渠更深且更宽。该装置包含一第二氧化物层，其系形成于设置于系为数个台面与该等数个沟渠之区域上。该装置包含一光罩材料层，其系被设置于一邻近于一主动区域之边缘终端区域的地区上。该主动区域包含该等台面与该等数个第一沟渠，且该光罩材料层系被部分地设置于该至少一第二沟渠上，该第二沟渠系位在包含有该等台面与该等数个第一沟渠之主动区域的区块之一边缘上。该等台面与该等第一沟渠未被该光罩层所覆盖的区域，系被蚀刻以移除该氧化物密封。该装置包含一系藉由一湿式蚀刻所形成之突出物区域。 |
