具有稳健之静电放电保护之输入/输出晶胞

摘要

一种可提高静电放电(electrostatic discharge, ESD)之稳健性之ESD保护保护装置。此ESD保护装置包括一焊垫、一指叉结构MOS、一井状区(well stripe)以及一掺杂段(dopedsegment)。焊垫系安置于一第一导电型之半导体基底。指叉结构MOS系安置于上述之半导体基底上，且包括复数汲极区、复数源极区以及复数通道区。每一汲极区系为一第二导电型，并与焊垫耦接。每一源极区亦为第二导电型，并与电源线(power rail)相耦接。在半导体中之复数通道区中，每一通道区大致上互相保持平行，且每一通道区系被设置于其中一源极区与其中一汲极区之间。井状区系为第二导电型，并被安置于半导体内且与复数通道区保持一支角。掺杂段系为第一导电型，并被设置于井状区之中。另外，掺杂段系与焊垫相耦接。