一种保护一化合物半导体免于静电放电(ESD)破坏的方法

摘要

一种保护一化合物半导体免于静电放电(ESD)破坏的方法及具静电保护能力之覆晶半导体元件。该覆晶半导体元件包含一半导体部份及一保护部份，该半导体部份为该化合物半导体元件，该保护部份为一氧化锌基板，其中该氧化锌基板形成一过电压的压变电阻元件，且其二电极分别与被保护之化合物半导体元件二电极电性结合而并联。在正常工作时，该保护部份的电极与电极之间几乎呈开路状态，且较一般保护用崩溃二极体有更小漏电流；当静电来袭时，该保护部份形成为过多电压的放电路径，以达静电保护功能。