铁电体膜、铁电记忆体、及压电元件

摘要

本发明乃有关铁电体膜、铁电记忆体、及压电元件，其课题乃提供可得高可靠性之铁电体装置之铁电体膜，其解决手段乃以ABO3所表示之钙钛矿构造铁电体所构成之铁电体膜中，做为A侧添加离子，包含 Si^2＋、Ge^2＋以及Sn^2＋中最少一种以上，做为B侧添加离子至少包含Nb^5＋。