利用雷射退火以形成磊晶成长层的方法

摘要

一种在内连线结构上的电容器内之磊晶层的形成方法，此方法系包括选择雷射，其中此雷射具有适当波长以利于在内连线结构上的电容器界面之晶种层／退火层的吸收，接着将此选择雷射的雷射能导向内连线结构的电容器上。然后，将此雷射能退火在内连线结构上的电容器之图案以形成磊晶层。其中，上述之退火方式可以在基板温度低于摄氏450度的温度下完成。因此，本发明之选择雷射不但可以使用脉冲延长器的准分子雷射，且在内连线结构上的电容器还可以当作形成在传统的互补式金属氧化半导体结构上的铁电电容器。