| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置，包括具有主表面1a的玻璃基板(1)，并且包括形成于主表面1a上的多晶矽层(7)，此多晶矽层(7)形成有通道区域(11)与位于通道区域(11)两侧位置的源极区域(9)及汲极区域(13)，另外还包括与多晶矽层(7)接触的含有氧的闸极绝缘层(17)，此半导体装置更包括闸极电极(21)，此闸极电极(21)是设置于相对于通道区域(11)的位置，而闸极绝缘层(17)是介于闸极电极(21)与通道区域(11)之间。多晶矽层(7)的厚度大于50nm、小于150nm。多晶矽层(7)的含氢量大于0.5原子％、小于10原子％。藉由上述的构造，可提供汲极电流能够提升，且具有想要的电性之半导体装置。 |
