具复属主动区之半导体结构

摘要

本发明系有关一种具复数主动区之半导体结构，如发光二极体或感光二极体(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80)，其包括一基板(SUB)及至少两主动区(AZl–AZn)，每一主动区发出或吸收不同波长的光。该多波长二极体具下述结构：一第一(下)主动区(AZl)成长在基板(SUB)一表面上，一或多其他主动区(AZl–AZn)磊晶成长于其上方，且主动区(AZl–AZn)经设作低欧姆电阻的穿透二极体(TDl–TDn)而使下主动区(AZl)串接至上主动区(AZn)。