| 摘要 |
一种半导体装置制造方法，包括：第一步骤，在矽基底上连续地形成氧化矽膜及氮化矽膜，接着在氮化矽膜上形成氮氧化矽膜或包含氮氧化矽膜的多层膜；第二步骤，根据微影术，在氮化矽膜或多层膜上形成具有开口部的光阻膜，开口部系位于对应于矽基底的元件隔离区之位置；第三步骤，藉由使用光阻膜作为掩罩，在氮氧化矽膜或多层膜上，形成沟槽，而沟槽在其相对立的侧表面上具有成对的尾端渐细侧表面部份，尾端渐细的侧表面部份系朝向基底侧倾斜，以致于彼此接近；及第四步骤，藉由使用光阻膜和氮氧化矽膜或多层膜作为掩罩，经由乾蚀刻而将氮化矽膜和氧化矽膜图案化。 |
