发明名称 TFT阵列之驱动电流测定方法及装置
摘要 本发明系高速、高精度地测定TFT阵列之像素驱动电流。上述课题系藉由一种测定方法加以解决,该测定方法系测定流至阵列驱动电流线之阵列驱动电流包含像素驱动电流成分与补偿电流成分之TFT阵列之像素驱动电流者,且包含:阵列驱动电流测定步骤,其对于复数个像素之一部分或全部之测定像素,以特定时间间隔依次测定各测定像素驱动时之上述阵列驱动电流;补偿电流测定步骤,其于未实施阵列驱动电流测定步骤时测定补偿电流成分;补偿电流计算步骤,其由复数个补偿电流之测定结果计算测定像素之阵列电流测定时之补偿电流;及像素驱动电流计算步骤,其由阵列电流测定步骤之测定结果与补偿电流计算步骤之计算结果的差值计算复数个像素之各像素的像素驱动电流。
申请公布号 TW200530673 申请公布日期 2005.09.16
申请号 TW093135127 申请日期 2004.11.16
申请人 安捷伦科技公司 发明人 木暮将之;三宅泰弘
分类号 G02F1/133;G01R31/00 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国