用于后CMP清洁之改良的酸性化学IMPROVED ACIDIC CHEMISTRY FOR POST-CMP CLEANING

摘要

此揭示系讨论在半导体装置制造过程期间，晶圆之化学机械平面化(CMP)后的半导体晶圆清洁。所揭示者系用于含有金属(特别是铜)互连之晶圆的后CMP清洁的酸性化学。将残留泥浆粒子(特别是铜或其他金属粒子)从晶圆表面移除，而不会显着地蚀刻金属、在表面上残留沉积物、或对晶圆施加大量的有机(例如碳)污染物，同时亦可保护金属免于氧化与腐蚀。此外，至少存在一个强螫合剂以错合溶液中的金属离子，促进金属从介电物移除且避免再沈积于晶圆上。使用酸性化学，其系可能使在CMP后所使用的清洁溶液的pH值与使用在晶圆表面上的最后泥浆者一致。