氮化镓系化合物半导体之磊晶结构及其制作方法

摘要

一种氮化镓系化合物半导体之磊晶结构及其制作方法，其系在一基材上于第一温度下先磊晶形成一氮化镓第一缓冲层，接着，于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上，而后将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层之上做表面处理，最后于此第三温度下成长一高温氮化镓磊晶层。由于本发明所提供之缓冲层结构及成长方法可使得后续磊晶成长之氮化镓系磊晶层具有较完美之晶体结构及较低之缺陷密度，故能有效地达成提升元件之效率及使用寿命。