| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Metall-Oxid-Halbleiters Feldeffekttransistors (MOSFET) bereitgestellt, bei dem auf einem Halbleitersubstrat (10) eine Feldeffekttransistorstruktur gebildet wird, die ein Gate-Oxid (12), eine Gate-Elektrode (14), die auf dem Gate-Oxid (12) gebildet wird, ein Drain-Gebiet (16) und ein Source-Gebiet (18) aufweist, die im Halbleitersubstrat (10) angrenzend an die Gate-Elektrode (14) gebildet werden, und bei dem eine mit Fluor in-situ dotierte isolierende Schicht (28) abgeschieden wird, die die Feldeffektstruktur bedeckt. Die mit Fluor in-situ dotierte isolierende Schicht (28) ist dazu vorgesehen, die Zuverlässigkeit des Transistors zu verbessern. |
